[发明专利]用于制造多晶硅锭的坩埚

说明书

技术领域

本发明涉及制造多晶硅锭的设备领域，更具体地，涉及一种用于制造多晶硅锭的坩埚。

背景技术

普通的制造多晶硅锭的坩埚的底面为平面，多晶铸锭成核阶段，可在坩埚底部任意位置成核并横向长大，晶粒大小不受控制，不利于抑制枝晶生长，且晶粒大小不一，均匀性不好。

在现有技术中，通常是在坩埚底部铺籽晶控制成核。例如，在坩埚底部铺碎片籽晶。化料时保证籽晶不完全熔化，成核过程在籽晶表面进行，底部的碎片大小基本一致，在此基础上可以形成均匀的小晶粒。然而，为控制成核需要保证籽晶不完全化完，化料工艺相对复杂，若有失误则导致籽晶化完，失去控制晶粒大小和均匀性的作用，此外，籽晶不化完会增加底部红区高度，降低硅锭利用率，增加成本。

发明内容

本发明旨在提供一种用于制造多晶硅锭的坩埚，能够抑制多晶硅锭的枝晶的生长。

为解决上述技术问题，根据本发明的一个方面，提供了一种用于制造多晶硅锭的坩埚，包括坩埚本体，坩埚本体的与硅料接触的底部凹凸不平。

进一步地，坩埚本体的底部包括多个与坩埚本体一体成型的多个凸点。

进一步地，多个凸点均匀布置在坩埚本体的底部。

进一步地，坩埚本体的底部呈锯齿状结构。

进一步地，坩埚本体的底部设置有多个框体，多个框体使底部凹凸不平。

进一步地，坩埚本体的底部呈正方形结构，框体为方框，多个方框与正方形结构具有相同的中心，且多个方框的边长从内向外均匀增长。

进一步地，坩埚本体的底部设置有多根相交的隔挡条，多根相交的隔挡条使底部凹凸不平。

进一步地，多根隔挡条形成多个方格。

进一步地，坩埚本体的内侧壁凹凸不平。

应用本发明的技术方案，用于制造多晶硅锭的坩埚包括坩埚本体，该坩埚本体的与硅料接触的底部凹凸不平。根据本发明，坩埚本体的底部是凹凸不平的，利用本发明的坩埚制造多晶硅锭时，成核过程中，晶核的横向生长受到坩埚本体的底部凸起的限制，晶核难以逾越凸起继续横向长大，从而起到抑制枝晶生长的作用。

附图说明

构成本申请的一部分的附图用来提供对本发明的进一步理解，本发明的示意性实施例及其说明用于解释本发明，并不构成对本发明的不当限定。在附图中：

图1示意性示出了本发明中的第一实施例的剖示图；

图2示意性示出了第一实施例的俯视图；

图3示意性示出了第二实施例的剖示图；

图4示意性示出了第三实施例的俯视图；以及

图5示意性示出了第四实施例的俯视图。

附图标记说明：

10、坩埚本体；11、凸点；12、方框；13、隔挡条。

具体实施方式

以下结合附图对本发明的实施例进行详细说明，但是本发明可以由权利要求限定和覆盖的多种不同方式实施。

术语解释：

坩埚：由石英材料构成，是硅锭的装载容器。

参见图1所示，根据本发明的第一实施例，用于制造多晶硅锭的坩埚包括坩埚本体10，该坩埚本体10的与硅料接触的底部凹凸不平。在本实施例中，坩埚本体10的底部是凹凸不平的，利用本实施例的坩埚制造多晶硅锭时，成核过程中，晶核的横向生长受到坩埚本体10的底部凸起的限制，晶核难以逾越凸起继续横向长大，从而起到抑制枝晶生长的作用。

优选地，坩埚本体10的内侧壁凹凸不平（图中未示出），可以进一步防止枝晶的生长。

结合图1和图2所示，在实施例中，底部包括多个与坩埚本体10一体成型的多个凸点11，凸点11的设置使得整个坩埚的底部凹凸不平，能够抑制枝晶的生长。优选地，多个凸点11均匀布置在底部，这样可以使得晶粒的大小均匀，有效提高多晶硅锭的质量。

参见图3所示，根据本发明的第二实施例，坩埚本体10的底部呈锯齿状结构。在本实施例中，锯齿状结构使得坩埚的底部变得凹凸不平，从而抑制枝晶的生长，提高多晶硅锭的质量，降低企业成本。

参见图4所示，根据本发明的第三实施例，坩埚本体10的底部设置有多个框体，多个框体使坩埚本体10的底部凹凸不平，从而抑制枝晶的生长。优选地，坩埚本体10的底部呈正方形结构，框体为方框12，多个方框12与正方形结构具有相同的中心，且多个方框12的边长从内向外均匀增长。使得晶核的大小均匀，提高多晶硅锭的质量。优选地，多个方框12与坩埚本体10一体成型，无需再对坩埚底部进行多余的加工工序就能得到本发明的用于制造多晶硅锭的坩埚，降低了企业的生产成本。