[发明专利]蒸发源、真空蒸镀装置以及有机EL显示装置制造方法无效

专利信息
申请号: 201310339461.7 申请日: 2013-08-06
公开(公告)号: CN103710667A 公开(公告)日: 2014-04-09
发明(设计)人: 三宅龙也;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;尾方智彦;山本健一;楠敏明;玉腰武司 申请(专利权)人: 株式会社日立高新技术
主分类号: C23C14/24 分类号: C23C14/24;F27B14/04;H05B33/10
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 钟晶;於毓桢
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 蒸发 真空 装置 以及 有机 el 显示装置 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种蒸发源,其特征在于,具有:

坩锅,其收纳蒸发材料;

坩锅出口,用于放出收容在该坩锅内的蒸发材料的蒸气;

热反射构件,其设置成包围该坩锅出口的至少一部分;和

加热器,其设置成包围该坩锅的外侧壁。

2.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,

在所述热反射构件中,设置在加热器侧的热反射构件被设置成其一部分位于坩锅本体和该加热器之间。

3.根据权利要求1所述的蒸发源,其特征在于,

具有喷嘴,其用于防止在所述坩锅出口处向所述热反射构件附着材料。

4.根据权利要求1至权利要求3中任何一项所述的蒸发源,其特征在于,

在所述坩锅出口方向上分割所述加热器,个别地进行温度控制。

5.根据权利要求1至权利要求3中任何一项所述的蒸发源,其特征在于,

具有凸缘部,其设置成包围所述坩锅出口的至少一部分,

所述热反射构件设置成夹着该凸缘部。

6.根据权利要求5所述的蒸发源,其特征在于,

进行温度控制,使所述凸缘部的温度为1100℃至1200℃。

7.一种真空蒸镀装置,其特征在于,具有:

一个以上的权利要求1至权利要求3中任何一项所述的蒸发源;

检测通过所述蒸发源对基板的蒸镀量的膜厚监视器;和

根据所述膜厚监视器的检测结果来控制所述蒸发源的控制部。

8.一种真空蒸镀装置,其特征在于,具有:

一个以上的权利要求4所述的蒸发源;

检测通过所述蒸发源对基板的蒸镀量的膜厚监视器;和

根据所述膜厚监视器的检测结果来控制所述蒸发源的控制部。

9.一种真空蒸镀装置,其特征在于,具有:

一个以上的权利要求5所述的蒸发源;

检测通过所述蒸发源对基板的蒸镀量的膜厚监视器;和

根据所述膜厚监视器的检测结果来控制所述蒸发源的控制部。

10.一种真空蒸镀装置,其特征在于,具有:

一个以上的权利要求6所述的蒸发源;

检测通过所述蒸发源对基板的蒸镀量的膜厚监视器;和

根据所述膜厚监视器的检测结果来控制所述蒸发源的控制部。

11.一种有机EL显示装置制造方法,其为通过密封基板密封形成有薄膜晶体管、有机EL层、以及夹着所述有机EL层的电极层的TFT基板的有机EL显示装置制造方法,其特征在于,

通过在真空蒸镀装置的蒸镀室内配置形成有所述薄膜晶体管的所述TFT基板,与所述TFT基板相对地配设一个以上的收容用于成膜所述有机EL层或者电极层的蒸镀材料的权利要求1至3中任何一项所述的蒸发源,并向所述TFT基板蒸镀所述蒸镀材料,从而形成所述有机EL层。

12.根据权利要求11所述的有机EL显示装置制造方法,其特征在于,在所述蒸镀室内具有用于向各个所述蒸发源供给所述蒸镀材料的材料供给机,维持所述蒸镀室的真空状态而供给所述蒸镀材料。

13.一种有机EL显示装置制造方法,其为通过密封基板密封形成有薄膜晶体管、有机EL层、以及夹着所述有机EL层的电极层的TFT基板的有机EL显示装置制造方法,其特征在于,

通过在真空蒸镀装置的蒸镀室内配置形成有所述薄膜晶体管的所述TFT基板,与所述TFT基板相对地配设一个以上的收容用于成膜所述有机EL层或者电极层的蒸镀材料的权利要求4所述的蒸发源,并向所述TFT基板蒸镀所述蒸镀材料,从而形成所述有机EL层。

14.根据权利要求13所述的有机EL显示装置制造方法,其特征在于,在所述蒸镀室内具有用于向各个所述蒸发源供给所述蒸镀材料的材料供给机,维持所述蒸镀室的真空状态而供给所述蒸镀材料。

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