[发明专利]蒸发源、真空蒸镀装置以及有机EL显示装置制造方法无效
申请号: | 201310339461.7 | 申请日: | 2013-08-06 |
公开(公告)号: | CN103710667A | 公开(公告)日: | 2014-04-09 |
发明(设计)人: | 三宅龙也;松浦宏育;峰川英明;矢崎秋夫;尾方智彦;山本健一;楠敏明;玉腰武司 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立高新技术 |
主分类号: | C23C14/24 | 分类号: | C23C14/24;F27B14/04;H05B33/10 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 钟晶;於毓桢 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 蒸发 真空 装置 以及 有机 el 显示装置 制造 方法 | ||
技术领域
本发明涉及蒸发源、真空蒸镀装置以及有机EL显示装置制造方法,特别涉及用于在大型的基板上形成有机EL显示装置的有效的蒸发源、真空蒸镀装置以及有机EL显示装置制造方法。
背景技术
在有机EL显示装置、照明装置中使用的有机EL元件是用阳极和阴极一对电极从上向下夹着由有机材料组成的有机层的结构,通过在电极上施加电压,分别从阳极侧和阴极侧向有机层注入空穴和电子,通过它们的再结合,成为发光的结构。
该有机层是包含空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层的多层膜叠层的结构。作为形成该有机层的材料,使用高分子材料和低分子材料。其中在使用低分子材料的情况下,使用真空蒸镀装置来形成有机薄膜。
有机EL设备的特性很大程度受有机层的膜厚的影响。另一方面,形成有机薄膜的基板逐年大型化。因此,在使用真空蒸镀装置的情况下,需要高精度地控制在大型的基板上形成的有机薄膜或者电极用金属薄膜的膜厚,而且能够长时间连续地工作。电极用金属薄膜伴随大型化,需要低电阻化,特别作为显示装置用的有机层的上部的电极材料(蒸镀材料),最看好铝、银、镁材料。
作为用于通过真空蒸镀在基板上连续形成薄膜的蒸发源,在专利文献1中公开了下述蒸发源,其能够防止从坩锅飞散的原料蔓延而附着在加热器等上,另外能够防止通过原料在坩锅内壁上遗留的攀缘现象引起的故障。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开平9-170882号公报
发明内容
发明所要解决的课题
在专利文献1中,公开了配置加热器护罩、能够降低通过原料的攀缘、蔓延的现象在加热器等上的附着引起的故障的蒸发源,但是对于基板侧的热辐射对策或者对于加热器电力的节电化未作考虑。
本发明的目的是提供一种蒸发源、真空蒸镀装置以及有机EL显示装置制造方法,能够使用降低热辐射、能够节电化的蒸发源,与大型基板对应,高速形成以铝材料为主的金属薄膜,连续成膜。
用于解决课题的方法
为了解决上述目的,本发明至少具有下述特征。
本发明的蒸发源的特征在于,具有:收纳蒸发材料的坩锅;用于放出在该坩锅内收容的蒸发材料的蒸气的坩锅出口;设置成包围该坩锅出口的至少一部分的热反射构件;和设置成包围该坩锅的外侧壁的加热器。
另外,在上述热反射构件中,在加热器侧设置的热反射构件,也可以使其一部分位于坩锅本体和该加热器之间那样设置。
进而也可以具有用于防止在上述坩锅出口处向上述热反射构件附着材料的喷嘴。
另外也可以在上述坩锅出口方向上分割加热器,个别地进行温度控制。
进而也可以具有上述热反射构件,使夹着没有上述凸缘的上述坩锅的没有上述凸缘的地方设置。
另外,也可以进行温度控制,使凸缘部的温度为1100℃至1200℃。
进而,本发明的真空蒸镀装置的特征在于,具有一个以上的上述任何一项所述的蒸发源,具有检测通过上述蒸发源对基板的蒸镀量的膜厚监视器、和根据上述膜厚监视器的检测结果来控制上述蒸发源的控制部。
另外,本发明的有机EL显示装置制造方法是通过密封基板密封形成有薄膜晶体管、有机EL层、以及夹着上述有机EL层的电极层的TFT基板的有机EL显示装置制造方法,其特征在于,通过在真空蒸镀装置的蒸镀室内配置形成有薄膜晶体管的TFT基板,与上述TFT基板相对地配设一个以上的收容用于成膜上述有机EL层或者电极层的蒸镀材料的蒸发源,向上述TFT基板蒸镀上述蒸镀材料,从而形成上述有机EL层。
进而,在上述有机EL显示装置制造方法中,也可以在上述蒸镀室内具有用于向各个上述蒸发源供给蒸镀材料的材料供给机,维持上述蒸镀室的真空状态而供给上述蒸镀材料。
根据本发明,在使用陶瓷制的坩锅的蒸发源中,通过使夹着凸缘部那样设置热反射构件,能够有效地阻断沿凸缘部流出的热,能够用少的电力有效地加热坩锅。另外,能够防止凸缘部的温度上升,能够防止攀缘。
附图说明
图1是表示可应用向直立的基板上蒸镀蒸镀材料的本发明的蒸发源的纵型真空蒸镀装置的一种实施方式的图。
图2是表示可应用向水平配置的基板上蒸镀蒸镀材料的本发明的蒸发源的横型真空蒸镀装置的一种实施方式的图。
图3是表示本发明的第一实施例中的蒸发源结构的截面图。
图4是表示第一实施例的变形例中的蒸发源结构的截面图。
图5是表示本发明的第二实施例中的蒸发源结构的截面图。
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