[发明专利]一种SOI_MOSFET的热阻提取方法

权利要求书

1.一种SOI MOSFET的热阻提取方法，该方法包括以下步骤：

a)设计一种器件，所述器件的栅结构的两端（G1）和（G2）都引出连线；

b)在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性；

c)在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻；

d)将所述栅结构在常温工作状态下的电阻代入步骤b）所得到的温度变化特性中，得到工作状态下器件的真实温度，进而求出热阻。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤b)所述的在不同温度下测试所述栅结构的电阻，获得其电阻随温度变化的特性的方法具体包括：

将器件加热到不同温度；

使器件源漏端悬浮，栅极第一端（G1）接地，栅极第二端(G2)扫描电压；

测试流经栅极第二端(G2)电流，求出栅电阻。

3.根据权利要求2所述的方法，其中所述不同温度包括：25度、50度、75度、100度和125度。

4.根据权利要求2所述的方法，其中所述栅极第二端(G2)扫描电压范围为-0.5V-0.5V，步进间隔为0.05V。

5.根据权利要求1所述的方法，其中，步骤c）所述的在常温下，使所述器件处于工作状态，测试此时所述栅结构的电阻的方法包括：

使器件处于室温的温度下；

将器件源极接地，漏极和栅极第一端(G1)加固定电压使得该器件处于工作状态，栅极第二端（G2）施加扫描电压；

测试漏极电流和栅极第二端(G2)电流，计算出栅电阻。

6.根据权利要求2所述的方法，其中，根据公式R=Vmax-Vmin/（I_G2（V_G2=Vmax）-(I_G2(V_G2=Vmin)）计算得到栅电阻，其中Vmax施加在栅极第二端（G2）的最大扫描电压，Vmin为施加在栅极第二端（G2）上的最小扫描电压，I_G2（V_G2=Vmax）为当施加在栅极第二端（G2）最大扫描电压时流经施加在栅极第二端（G2）的电流，以及I_G2(V_G2=Vmin)为当施加在栅极第二端（G2）最小扫描电压时流经施加在栅极第二端（G2）的电流。

7.根据权利要求5所述的方法，其中所述栅极第二端(G2)施加的扫描电压范围为V_G1-0.05至V_G1+0.05之间，步进间隔为0.005V。