[发明专利]防间隔工艺与半导体结构

权利要求书

1.一种防间隔工艺，其特征在于，包含：

(a)提供包含一不均匀形状的一阻绝层；

(b)涂布一靶层于所述阻绝层上；

(c)提供多个防间隔沟槽于所述靶层与所述阻绝层之间；以及

(d)将所述多个防间隔沟槽的至少一部份连接在一起，以隔离所述靶层的一第一部份与所述靶层的一第二部份。

2.如权利要求1所述的防间隔工艺，其特征在于，步骤(d)会直接将所述多个防间隔沟槽的所述至少一部份合并，以将所述多个防间隔沟槽的所述至少一部份连接在一起。

3.如权利要求1所述的防间隔工艺，其特征在于，还包含：

(a1)在步骤(b)之前与步骤(a)之后，提供一酸负荷在所述阻绝层上；

其中步骤(c)包含：

(c1)将所述酸负荷与所述靶层的一部份移除，以形成所述多个防间隔沟槽；

其中所述多个防间隔沟槽会在移除所述酸负荷的期间被拓宽，以使得所述多个防间隔沟槽的所述至少一部份可在步骤(d)中被连接在一起。

4.如权利要求1所述的防间隔工艺，其特征在于，所述不均匀形状包含一宽部份以及一窄部份，其中当所述靶层被涂布于所述阻绝层上时，所述宽部份会比所述窄部份更接近于所述多个防间隔沟槽所连接的点。

5.如权利要求4所述的防间隔工艺，其特征在于，所述宽部份是椭圆状，而所述窄部份是直线状。

6.如权利要求4所述的防间隔工艺，其特征在于，所述宽部份被提供于所述阻绝层的末端。

7.一种防间隔工艺，其特征在于，包含：

(a)提供包含一不均匀形状的一阻绝层；

(b)涂布包含有多个目标特征的一靶层于所述阻绝层上；以及

(c)通过所述不均匀形状来隔离所述多个目标特征，而无需使用一切割掩膜。

8.如权利要求7所述的防间隔工艺，其特征在于，还包含：

(b1)去除所述靶层的一部份；

其中步骤(b1)是执行于步骤(b)之后，以使得围绕于所述阻绝层的一防间隔会被产生并且合并在一起，从而执行了步骤(c)。

9.如权利要求7所述的防间隔工艺，其特征在于，所述不均匀形状包含了一宽部份与一窄部份，其中当所述靶层被涂布于所述阻绝层上时，所述宽部份会比所述窄部份更接近于所述多个目标特征。

10.如权利要求7所述的防间隔工艺，其特征在于，所述宽部份是椭圆状，而所述窄部份是直线状。

11.如权利要求7所述的防间隔工艺，其特征在于，所述宽部份位于所述阻绝层的末端。

12.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一阻绝层，包含一不均匀形状；以及

一靶层，包含一第一部份与一第二部份；

其中一防间隔被提供于所述阻绝层与所述靶层之间，而所述第一部份与所述第二部份通过所述防间隔而彼此隔离。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其特征在于，所述不均匀形状包含一宽部份与一窄部份，以及所述宽部份会比所述窄部份更接近于所述第一部份与所述第二部份被隔离的位置。

14.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述宽部份是椭圆状，而所述窄部份是直线状。

15.如权利要求13所述的半导体结构，其特征在于，所述宽部份位于所述阻绝层的末端。