[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 201310342961.6 | 申请日： | 2013-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN103413835A | 公开（公告）日： | 2013-11-27 |
| 发明（设计）人： | 黄彦余;张锡明 | 申请（专利权）人： | 华映视讯（吴江）有限公司;中华映管股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 胡晶 |
| 地址： | 215217 江苏省苏州市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 及其 制造 方法 | ||
1.一种薄膜晶体管的制造方法,其特征在于，包括：
提供一基板；
形成一栅极于该基板；
形成一第一源极于该基板；
形成一信道，该信道的一端与该第一源极接触；
形成一阻挡层，该阻挡层至少覆盖该信道与该第一源极接触的该端且暴露出该信道的另一端；以及
形成一漏极，该漏极与该信道的该另一端接触。
2.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：在形成该漏极的同时，于该第一源极上形成一第二源极。
3.如权利要求2所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，该第二源极完全地覆盖该第一源极。
4.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：形成一绝缘层，该绝缘层覆盖该栅极。
5.如权利要求1所述的薄膜晶体管的制造方法，其特征在于，还包括：形成一绝缘层，该绝缘层覆盖该第一源极、该信道、该阻挡层以及该漏极。
6.一种薄膜晶体管，其特征在于，包括：
一基板；
一第一源极，配置于该基板上；
一信道，该信道的一端与该第一源极接触；
一阻挡层，该阻挡层至少覆盖该信道与该第一源极接触的该端且暴露出该信道的另一端；
一漏极，与该信道的该另一端接触；以及
一栅极，与该信道重迭。
7.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一源极与该漏极分属不同膜层。
8.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第一源极、该信道、该阻挡层以及该漏极朝远离该基板的方向依序堆栈。
9.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：一第二源极，配置于该第一源极上且与该漏极属于同一膜层。
10.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第二源极完全地覆盖该第一源极。
11.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第二源极与该第一源极接触。
12.如权利要求9所述的薄膜晶体管，其特征在于，该第二源极与该第一源极切齐。
13.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：一绝缘层，该栅极配置于该绝缘层与该基板之间。
14.如权利要求6所述的薄膜晶体管，其特征在于，还包括：一绝缘层，该绝缘层配置于该栅极与该基板之间。
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