[发明专利]薄膜晶体管及其制造方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种电子组件及其制造方法，且特别是有关于一种薄膜晶体管及其制造方法。

背景技术

随着科技的发展，电子组件的微型化已成趋势。当然，薄膜晶体管亦不例外。在公知技术中，薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极、阻挡层以及信道。源极、漏极同属一膜层，且分别设于信道二侧。栅极与信道重迭。阻挡层具有暴露出信道上表面的二接触窗。源极与漏极分别填入这些接触窗，而与信道接触。然而，接触窗的存在使得信道需保留被接触窗暴露出的面积，不利于薄膜晶体管面积的缩减。

发明内容

本发明提供一种薄膜晶体管的制造方法，其可制造出面积小的薄膜晶体管。

本发明提供一种薄膜晶体管，其面积小。

本发明的薄膜晶体管的制造方法包括下列步骤。提供基板。形成栅极于基板。形成第一源极于基板。形成信道，信道的一端与第一源极接触。形成阻挡层，阻挡层至少覆盖信道与第一源极接触的一端且暴露出信道的另一端。形成漏极，漏极与信道的另一端接触。

本发明的薄膜晶体管包括基板、配置于基板上的第一源极、信道、阻挡层、漏极以及栅极。信道的一端与第一源极接触。阻挡层至少覆盖信道与第一源极接触的一端且暴露出信道的另一端。漏极与信道的另一端接触。栅极与信道重迭。

在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管的制造方法还包括：在形成漏极的同时，于第一源极上形成第二源极。

在本发明的一实施例中，上述的第二源极完全地覆盖第一源极。

在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管的制造方法还包括：形成覆盖栅极的绝缘层。

在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管的制造方法，还包括：形成覆盖第一源极、信道、阻挡层以及漏极的绝缘层。

在本发明的一实施例中，上述的第一源极与漏极分属不同膜层。

在本发明的一实施例中，上述的第一源极、信道、阻挡层以及漏极朝远离基板的方向依序堆栈。

在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管还包括配置于第一源极上且与漏极属于同一膜层的第二源极。

在本发明的一实施例中，上述的第二源极与第一源极接触。

在本发明的一实施例中，上述的第二源极与第一源极切齐。

在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管还包括绝缘层。栅极配置于绝缘层与基板之间。

在本发明的一实施例中，上述的薄膜晶体管还包括绝缘层。绝缘层配置于栅极与基板之间。

基于上述，在本发明的薄膜晶体管及其制造方法中，由于薄膜晶体管的第一源极与漏极是分别形成在信道上下二侧而分别与信道的二端接触，因此信道不需如公知技术般保留被阻挡层的二接触窗暴露出的接触区。这样一来，信道的有效长度便可大幅缩短，而利于薄膜晶体管面积的缩减。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附图式作详细说明如下。

附图说明

图1A至图1E为本发明一实施例的薄膜晶体管制造方法的上视示意图;

图2A至图2E为本发明一实施例的薄膜晶体管制造方法的剖面示意图;

图3A至图3E为本发明另一实施例的薄膜晶体管制造方法的上视示意图;

图4A至图4E为本发明另一实施例的薄膜晶体管制造方法的剖面示意图。

【主要组件符号说明】

102：基板

104：绝缘层

106：绝缘层

A- A’、B-B’：剖线

D：漏极

DL：数据线

d：栅极与信道的堆栈方向

TFT、TFT1：薄膜晶体管

ESL：阻挡层

G：栅极

L：信道的有效长度

S1：第一源极

S2：第二源极

SL：扫描线

SE：信道

SE-1：信道的一端

SE-2：信道的另一端。

具体实施方式

特别是，图2A至图2E是分别对应于图1A至图1E的剖线A-A’。请参照图1A及图2A，首先，提供基板102。基板102主要是用来承载组件之用，其材质可为玻璃、石英、有机聚合物、或是不透光/反射材料(例如：晶圆、陶瓷)、或是其它可适用的材料。