[发明专利]一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂

权利要求书

1.一种用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，该添加剂包含按质量百分比计0.05-1%的分子量不同的季胺化聚乙烯亚胺及其衍生物中的一种或几种，以及1-10%的平均分子量为200-20000的聚乙二醇。

2.如权利要求1所述的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，所述的季胺化聚乙烯亚胺的通式为：

；根据聚乙烯亚胺的聚合度和分子中N原子数量的不同，分子量也不同。

3.如权利要求1或2所述的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，所述的添加剂配合甲基磺酸铜体系电镀液使用。

4.如权利要求3所述的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，所述的甲基磺酸铜体系电镀液中按体积比计包含1-5ml/L的所述的添加剂。

5.如权利要求3所述的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，所述的甲基磺酸铜体系电镀液按质量体积比计包含铜离子50-110g/L，甲级磺酸5-50g/L，氯离子20-80mg/L。

6.如权利要求5所述的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，所述的电镀液还包含按体积比计0.5-5ml/L的加速剂，5-20ml/L的抑制剂以及5-10ml/L的整平剂。

7.如权利要求6所述的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，所述的加速剂包含聚二硫二丙烷磺酸钠、醇硫基丙烷磺酸钠、苯基二硫丙烷磺酸钠、3-硫-异硫脲丙磺酸内盐、3-硫基-1-丙磺酸钠盐以及二甲基-二硫甲酰胺磺酸、异硫脲丙磺酸内盐、3-（苯并噻唑-2-硫代）-丙磺酸钠盐、甲基((-磺基丙基)二硫化物二钠盐、甲基((-磺基丙基)三硫化物二钠盐的含硫化合物中的一种或几种的组合。

8.如权利要求6所述的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，所述的抑制剂包含平均分子量从2000到20000不等的聚乙二醇、聚环氧乙烷，脂肪醇烷氧基化物、聚丙二醇、聚乙二醇二甲醚、聚氧化丙二醇、巯基苯骈咪唑、氧化乙烯-氧化丙烯嵌段共聚物中的一种或几种的组合。

9.如权利要求6所述的用于减少硅通孔技术镀铜退火后空洞的添加剂，其特征在于，所述的整平剂包含不同分子量脂肪醇聚氧乙烯醚系列、烷基酚聚氧乙烯醚系列、乳化剂TX 系列、硫脲类化合物、烷基吡啶类化合物、烟鲁绿B中的一种或几种的组合。