[发明专利]非易失性存储器装置及控制挂起其命令执行的方法

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

存储器单元阵列，其包括与字线和位线连接的多个存储器单元，所述存储器单元阵列被构造为存储数据；

行解码器，其被构造为选择性地激活所述存储器单元阵列的串选择线、接地选择线和所述字线；

页面缓冲器，其被构造为暂时存储外部数据并在编程操作期间根据所存储的数据将预定的电压施加到所述位线上，并且被构造为在读取操作或验证操作期间使用所述位线感测出在所述多个存储器单元当中所选择的存储器单元中存储的数据；以及

控制逻辑，其被构造为控制所述行解码器和所述页面缓冲器，

其中，在执行命令期间，当接收到对命令的执行的挂起请求时，将所述命令的执行被挂起时所提供的芯片信息备份到与所述控制逻辑分离的存储空间，

其中，所述非易失性存储器装置还包括缓冲电路，其被构造为当给出对所述命令的执行的挂起请求时，从所述控制逻辑接收所述命令的执行被挂起时所提供的芯片信息，以缓存所述芯片信息，

其中，所述存储空间包括下列之一：

所述非易失性存储器装置外部的外部存储装置；

所述非易失性存储器装置外部的存储器控制器；以及

所述非易失性存储器装置中所包含的一个存储器单元阵列，并且

其中，所述芯片信息包括以下中的至少一个：命令的执行被挂起时的擦除脉冲电压、存储器芯片中使用的高压脉冲、驱动磁芯的时间、执行擦除操作的循环次数、以及对存储器芯片的验证结果。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中当接收到对命令的执行的恢复请求时，取回存储在所述存储空间中的所述芯片信息，并基于所取回的芯片信息来恢复芯片状态。

3.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述命令的执行包括执行擦除命令或编程命令。

4.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述存储空间包括所述非易失性存储器装置外部的外部存储装置或存储器控制器，并且

其中当给出对所述命令的执行的挂起请求时，所述控制逻辑通过输入/输出电路将所述命令的执行被挂起时所提供的芯片信息存储在所述存储器控制器或所述外部存储装置中，而当给出对所述命令的执行的恢复请求时，所述控制逻辑通过所述输入/输出电路从所述存储器控制器或所述外部存储装置中取回所述芯片信息，并基于所取回的芯片信息来恢复芯片状态。

5.如权利要求4所述的非易失性存储器装置，其中，

当给出对所述命令的执行的挂起请求时，所述缓冲电路将所缓存的芯片信息提供给所述输入/输出电路，而当给出对所述命令的执行的恢复请求时，从所述输入/输出电路取回所述芯片信息，以缓存所述芯片信息，从而将所缓存的芯片信息提供给所述控制逻辑。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，所述存储空间包括所述非易失性存储器装置中所包含的一个存储器单元阵列，并且

其中当给出对所述命令的执行的挂起请求时，所述控制逻辑通过所述页面缓冲器将所述命令的执行被挂起时所提供的芯片信息存储在所述存储器单元阵列中，而当给出对所述命令的执行的恢复请求时，所述控制逻辑通过所述页面缓冲器从所述存储器单元阵列取回所述芯片信息，并基于所取回的芯片信息来恢复芯片状态。

7.如权利要求6所述的非易失性存储器装置，其中，

当给出对所述命令的执行的挂起请求时，所述缓冲电路将所缓存的芯片信息提供给所述页面缓冲器，而当给出对所述命令的执行的恢复请求时，从所述页面缓冲器取回所述芯片信息，以缓存所述芯片信息，从而将所缓存的芯片信息提供给所述控制逻辑。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，该非易失性存储器装置是垂直NAND闪速存储器装置。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中所述芯片信息包括以下中的至少一个：擦除脉冲电压、高电压脉冲、驱动磁芯的时间、执行擦除操作的循环次数、擦除模式中包括的单元操作、以及对存储器芯片的验证结果。