[发明专利]混合信号集成电路制造方法

权利要求书

1.一种混合信号集成电路制造方法，其特征在于，包括：

根据预设的第一工艺流程，在第一层多晶硅上形成MOS管的栅极、多晶高阻和双多晶电容的下极板；

根据预设的第二工艺流程，在第二层多晶硅上形成双多晶电容的上极板；

根据预设的第三工艺流程，形成MOS管的源漏区。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第一工艺流程，在第一层多晶硅上形成MOS管的栅极、多晶高阻和双多晶电容的下极板之前，还包括：

在衬底上形成场氧化层和栅氧化层；

在所述场氧化层和栅氧化层上沉积第一层多晶硅。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第一工艺流程，在第一层多晶硅上形成MOS管的栅极、多晶高阻和双多晶电容的下极板之后，所述根据预设的第二工艺流程，在第二层多晶硅上形成双多晶电容的上极板之前，还包括：

采用光刻和离子注入工艺，形成MOS管的轻掺杂源漏区；

采用淀积和干法刻蚀工艺，形成MOS管的侧墙；

淀积介质层；

在所述介质层上淀积第二层多晶硅。

4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述介质层为氧化硅膜层，或氮化硅膜层，或氧化硅膜层与氮化硅膜层的叠加层。

5.根据权利3或4所述的方法，其特征在于，所述介质层的厚度为100～800埃。

6.根据权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第一工艺流程，在第一层多晶硅上形成MOS管的栅极、多晶高阻和双多晶电容的下极板，包括：

采用离子注入工艺对所述第一层多晶硅进行轻掺杂，其中，离子注入的剂量为1E14～2E15原子/平方厘米；

在所述第一层多晶硅的表面上涂覆光刻胶；

通过光刻工艺去除第一预设区域内的光刻胶，以露出第一预设区域的第一层多晶硅并形成窗口，保留第一预设区域以外区域的光刻胶；

向所述窗口注入离子，以形成所述第一预设区域的重掺杂的第一层多晶硅；

去除覆盖在所述第一层多晶硅表面上的光刻胶；

在所述第一层多晶硅的表面上再次涂覆光刻胶；

通过光刻工艺保留第二预设区域内的光刻胶，去除第二预设区域以外区域的光刻胶；

采用刻蚀工艺去除掉第二预设区域以外区域的第一层多晶硅，以形成位于所述第一预设区域的MOS管的栅极和双多晶电容的下极板，并形成位于第一预设区域以外区域的多晶高阻；

去除覆盖在所述第一层多晶硅表面上的光刻胶。

7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于，所述向所述窗口注入离子的剂量为2E15～2E16原子/平方厘米。

8.根据权利要求1或2或3所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第二工艺流程，在第二层多晶硅上形成双多晶电容的上极板，包括：

在所述第二层多晶硅的表面上涂覆光刻胶；

通过光刻保留第三预设区域内的光刻胶，去除所述第三预设区域之外的区域的光刻胶；

采用刻蚀工艺去除掉所述第三预设区域之外的区域的第二层多晶硅；

去除覆盖在所述第二层多晶硅表面上的光刻胶，形成半成品。

9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，所述根据预设的第三工艺流程，形成MOS管的源漏区包括：

在所述半成品的表面上涂覆光刻胶；

通过光刻去除第四预设区域内的光刻胶并形成窗口，保留第四预设区域以外区域的光刻胶；

向所述窗口注入离子，其中，注入离子的剂量为1E15～8E15原子/平方厘米；

去除覆盖在所述半成品表面上的光刻胶；

高温退火，形成MOS管的源漏区，退火温度为800～1000摄氏度，退火时间为30～120分钟。

10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述第四预设区域包括所述双多晶电容上极板所在的区域，以在形成MOS管的源漏区的同时对双多晶电容的上极板进行掺杂。