[发明专利]半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，包括：

至少二鳍状结构，设置于一基底上；

栅极结构，覆盖该些鳍状结构；

至少二外延结构，均设置于该栅极结构的一侧，且各自直接接触各该鳍状结构，其中该些外延结构为互相分离；以及

硅盖层，同时包覆该些外延结构，其中，相邻的硅盖层产生合并。

2.如权利要求1所述的半导体装置，另包括至少二凹槽，各自设置各该鳍状结构的一末端，其中各该外延结构填满相对应的各该凹槽。

3.如权利要求1所述的半导体装置，其中该些外延结构各自包覆住各该鳍状结构的一末端。

4.如权利要求1所述的半导体装置，另包括至少一绝缘层，设置于该些外延结构之间。

5.如权利要求4所述的半导体装置，其中该硅盖层会直接接触各该外延结构间的该绝缘层。

6.如权利要求1所述的半导体装置，其中各该外延结构由下至上包括一低掺杂外延层、一高掺杂外延层以及一粘着层。

7.如权利要求1所述的半导体装置，其中该些外延结构的材质包括硅锗、硅磷或硅碳。

8.如权利要求1所述的半导体装置，其中各该外延结构包括一顶面，且该些顶面实质上位于同一平面上。

9.如权利要求1所述的半导体装置，其中该硅盖层具有一连续凹凸(concavo-convex)的轮廓。

10.如权利要求1所述的半导体装置，其中该硅盖层的材质为单晶硅。

11.如权利要求1所述的半导体装置，另包括：

介电层，覆盖该栅极结构以及该硅盖层；以及

至少一接触结构，设置于该介电层内且直接接触该硅盖层。

12.一种半导体装置，包括：

至少二鳍状结构，设置于一基底上；

栅极结构，覆盖该些鳍状结构；

至少二外延结构，均设置于该栅极结构的一侧，且各自直接接触各该鳍状结构，其中该些外延结构间具有一重叠部，且各该外延结构具有一宽度，其中该重叠部以及该宽度的比值实质上介于0.001至0.25之间；以及

硅盖层，同时包覆该外延结构。

13.如权利要求12所述的半导体装置，另包括二凹槽，各自设置于各该鳍状结构的一末端，其中各该外延结构填满相对应的各该凹槽。

14.如权利要求12所述的半导体装置，其中该些外延结构各自包覆住各该鳍状结构的一末端。

15.如权利要求12所述的半导体装置，另包括一空间，位于该基底以及相对应该些外延结构之间。

16.如权利要求15所述的半导体装置，其中该空间内会被填有该硅盖层。

17.如权利要求12所述的半导体装置，其中各该外延结构由下至上包括一低掺杂外延层、一高掺杂外延层以及一粘着层。

18.如权利要求12所述的半导体装置，其中各该外延结构的材质包括硅锗、硅磷或硅碳。

19.如权利要求12所述的半导体装置，其中该硅盖层具有一连续凹凸(concavo-convex)的轮廓。

20.如权利要求12所述的半导体装置，其中硅盖层的材质为单晶硅。

21.如权利要求12所述的半导体装置，另包括：

介电层，覆盖该栅极结构以及该硅盖层；以及

至少一接触结构，设置于该介电层内且直接接触该硅盖层。