[发明专利]电容器布置和制造电容器布置的方法

权利要求书

1.一种电容器布置，其包括：

衬底；

多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域，其中第一掺杂区域用第一导电类型的掺杂剂掺杂而第二掺杂区域用相反于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂掺杂，并且其中多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域在衬底中被紧挨着彼此交替布置；

被部署在多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域之上的电介质层；

被部署在电介质层之上的电极；以及

被电耦合到多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域的每个掺杂区域的第一端子；以及

被电耦合到电极的第二端子。

2.根据权利要求1所述的电容器布置，其中，

多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域被配置为多个井。

3.根据权利要求1所述的电容器布置，其中，

第一导电类型是n导电类型；并且其中，

第二导电类型是p导电类型。

4.根据权利要求1所述的电容器布置，其中，

第一导电类型是p导电类型；并且其中，

第二导电类型是n导电类型。

5.根据权利要求1所述的电容器布置，其中，

电介质层包括下列材料中的至少一个：

二氧化硅；

氮化硅；以及

高k电介质。

6.根据权利要求1所述的电容器布置，其中，

电极包括掺杂的多晶硅。

7.根据权利要求1所述的电容器布置，其中，

至少一些第一掺杂区域和多个第二掺杂区域具有比20μm小的宽度。

8.一种电容器布置，其包括：

具有n型掺杂或者p型掺杂的掺杂区域；

被部署在掺杂区域之上的电介质层；

多个电极，其中电极被紧挨着彼此布置并且被部署在电介质层之上，其中相邻的电极分别具有彼此相反的掺杂类型；以及

第一端子，其中第一端子被电耦合到井；以及

第二端子，其中第二端子被电耦合到多个电极中的每个电极。

9.根据权利要求8所述的电容器布置，其中，

掺杂区域被配置为井。

10.根据权利要求8所述的电容器布置，其中，

掺杂类型是n掺杂类型或者p掺杂类型。

11.根据权利要求8所述的电容器布置，其中，

电介质层包括下列材料中的至少一个：

二氧化硅；

氮化硅；以及

高k电介质。

12.根据权利要求8所述的电容器布置，其中，

电极包括多晶硅。

13.根据权利要求8所述的电容器布置，其中，

电极具有各自的比20μm小的宽度。

14.一种电容器布置，其包括：

衬底；

多个井，其中井被布置为衬底中的列，其中相邻的井具有相反的掺杂类型；

电介质层，其中电介质层被部署在多个井之上；

多个电极，其中电极被布置为电介质层的至少被部署在多个井之上的区域上的行，其中相邻的电极具有相反的掺杂类型；以及

第一端子，其中第一端子被电耦合到多个井中的每个井；以及

第二端子，其中第二端子被电耦合到多个电极中的每个电极。

15.根据权利要求14所述的电容器布置，其中，

掺杂类型是n掺杂类型或者p掺杂类型。

16.根据权利要求14所述的电容器布置，其中，

列和行被布置为彼此正交。

17.根据权利要求14所述的电容器布置，其中，

电介质层包括下列材料中的至少一个：

二氧化硅；

氮化硅；以及

高k电介质。

18.根据权利要求14所述的电容器布置，其中，

电极包括多晶硅。

19.根据权利要求14所述的电容器布置，其中，

行具有比20μm小的宽度。

20.根据权利要求19所述的电容器布置，其中，

列具有比20μm小的宽度。

21.一种制造电容器布置的方法，其包括：

在衬底中形成多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域，其中第一掺杂区域用第一导电类型的掺杂剂掺杂而第二掺杂区域用相反于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂掺杂，并且其中多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域在衬底中被紧挨着彼此交替形成；

在多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域之上形成电介质层；

在电介质层之上形成电极；以及

电耦合第一端子到多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域的每个掺杂区域；以及

电耦合第二端子到电极。