[发明专利]电容器布置和制造电容器布置的方法

说明书

技术领域

各种实施例一般地涉及电容器布置和制造电容器布置的方法。

背景技术

电容器可以通过使用所谓的金属氧化物半导体（MOS）结构来被实现。这样的结构具有电介质，例如二氧化硅（SiO₂），其被布置在半导体衬底上。金属电极或者重掺杂的、高度导电的多晶硅（poly-Si）被布置在电介质上。电极和衬底之间的电容依赖于电极和衬底之间的电压。一般地，电容关于电压的关系是高度非线性的。克服此问题的解决方案是引入第二层多晶硅以创建所谓的多层多层（poly-poly）电容。然而，此解决方案具有缺点：高的工艺成本以及在老化测试（burnin）期间和/或使用寿命期间额外故障模式。

发明内容

在各种实施例中，电容器布置被提供，其可以包括衬底；多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域，其中第一掺杂区域用第一导电类型的掺杂剂掺杂而第二掺杂区域用相反于第一导电类型的第二导电类型的掺杂剂掺杂，并且其中多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域在衬底中被紧挨着彼此交替布置；被部署在多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域之上的电介质层；被部署在电介质层之上的电极；被电耦合到多个第一掺杂区域和多个第二掺杂区域的每个掺杂区域的第一端子；以及被电耦合到电极的第二端子。

附图说明

在图中，同样的参考符号一般遍及不同视图指的是相同的部分。图不必按比例，而是一般强调图示本发明的原理。在下列描述中，本发明的各种实施例参照下列图被描述，在其中：

图1示出了电容器布置的第一实施例；

图2示出了电容器的实施例；

图3示出了第一电容与电压关系；

图4示出了第二电容与电压关系；

图5示出了电容器布置的第三实施例；

图6示出了电容器布置的第四实施例；并且

图7示出了电容器布置的第五实施例。

具体实施方式

下面的详细描述参考附图，所述附图借助于图示来示出在其中本发明可以被实践的具体的细节和实施例。

词汇“示范性的”于此被用来意指“用作例子、实例或者图示”。任何于此被描述为“示范性的”的实施例或者设计没有必要被理解为比其它的实施例或者设计更优选的或者有利的。

关于形成在侧面或者表面“之上”的沉积材料所使用的词汇“之上”于此可以被用来意指：沉积材料可以被“直接地在”暗指的侧面或者表面“上面”形成，例如直接与其接触。关于形成在侧面或者表面“之上”的沉积材料所使用的词汇“之上”于此可以被用来意指：沉积材料可以被“间接地在”暗指的侧面或者表面“上面”形成，而一个或多个额外的层被布置在暗指的侧面或者表面与沉积材料之间。

图1示出了具有第一电容器100和第二电容器120的第一电容器布置。第一电容器可以具有第一端子102和第二端子104。第二电容器可以具有第一端子122和第二端子124。第一电容器100的第一端子102可以被电耦合到第二电容器120的第一端子122。第一电容器100的第二端子104可以被电耦合到第二电容器120的第二端子124。第一电容器100和第二电容器120因而可以被并联地电连接。