[发明专利]一种硫代钒酸盐发光薄膜及其制备方法和应用无效
申请号: | 201310347039.6 | 申请日: | 2013-08-09 |
公开(公告)号: | CN104342138A | 公开(公告)日: | 2015-02-11 |
发明(设计)人: | 周明杰;陈吉星;王平;张振华 | 申请(专利权)人: | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
主分类号: | C09K11/69 | 分类号: | C09K11/69;C23C16/30;H01L33/50 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 44202 | 代理人: | 郝传鑫;熊永强 |
地址: | 518000 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 钒酸盐 发光 薄膜 及其 制备 方法 应用 | ||
技术领域
本发明涉及无机发光材料领域,尤其涉及一种硫代钒酸盐发光薄膜及其制备方法和应用。
背景技术
与传统的发光粉制作的显示屏相比,发光薄膜在对比度、分辨率、热传导、均匀性、与基底的附着性、释气速率等方面都显示出较强的优越性。因此,作为功能材料,发光薄膜在诸如阴极射线管(CRTs)、电致发光显示(ELDs)及场发射显示(FEDs)等平板显示领域中有着广阔的应用前景。
薄膜电致发光显示器(TFELD)由于其主动发光、全固体化、耐冲击、反应快、视角大、适用温度宽、工序简单等优点,已引起了广泛的关注,且发展迅速。目前,研究彩色及至全色TFELD,开发多波段发光的材料,是该课题的发展方向。然而,铜铱共掺杂硫代钒酸盐发光薄膜仍未见报道。
发明内容
为了解决上述问题,本发明提供了一种硫代钒酸盐发光薄膜及其制备方法和应用。
第一方面,本发明提供了一种硫代钒酸盐发光薄膜,结构式为Me3(VS4)2:xCu2+,yIr3+,其中Me为Mg、Ca、Sr或Ba,x的取值范围为0.01~0.08,y的取值范围为0.01~0.1。
基质硫代钒酸盐其具有较高的热学和力学稳定性,还具有着良好的光学透明性,较低的声子能量,为发光离子提供了优良的晶场,从而在光电能量转换的过程中产生较少无辐射跃迁,具有较高的发光效率。对于掺杂离子,Cu是丰富价廉的元素,Cu+和Cu2+都是稳定的离子态,因此其具有了较宽的发射谱;而Ir元素的三价离子能级靠近激发态,易于受多种能量激发,也易于跟基质形成自旋轨道的耦合,有较高的发光效率。
优选地,x的取值为0.05,y的取值为0.06。
优选地,发光薄膜的厚度为45~350nm。
更优选地,发光薄膜的厚度为180nm。
本发明制备了铜铱共掺杂硫代钒酸盐Me3(VS4)2:xCu2+,yIr3+发光薄膜,以Me3(VS4)2为基质,Cu2+和Ir3+是激活元素,在薄膜中充当主要的发光中心。本发明提供的铜铱共掺杂硫代钒酸盐发光薄膜(Me3(VS4)2:xCu2+,yIr3+)在611nm位置附近有很强的红光的发光峰。
第二方面,本发明提供了一种硫代钒酸盐发光薄膜的制备方法,包括以下步骤:
以摩尔比为3:2:x:y的双环戊二烯碱土盐、氧化二乙酰丙酮合硫代钒、乙酰丙酮铜、乙酰丙酮铱为反应源;
在真空度为1.0×10-2~1.0×10-3Pa的气相沉积设备中,将衬底转速设置为50~1000转/分,通入含有反应源的惰性气体,气流量为5~15sccm,再通入硫化氢在所述衬底上沉积得到所述硫代钒酸盐发光薄膜;
所述硫代钒酸盐发光薄膜的结构式为Me3(VS4)2:xCu2+,yIr3+,其中Me为Mg、Ca、Sr或Ba,x的取值范围为0.01~0.08,y的取值范围为0.01~0.1。
本发明采用金属有机气相沉积设备(MOCVD)制备硫代钒酸盐发光薄膜,以双环戊二烯碱土盐、氧化二乙酰丙酮合硫代钒、乙酰丙酮铜、乙酰丙酮铱为反应源,通过沉积得到发光薄膜。
优选地,双环戊二烯碱土盐为双环戊二烯镁((C5H5)2Mg)、双环戊二烯钙((C5H5)2Ca)、双环戊二烯锶((C5H5)2Sr)或双环戊二烯钡((C5H5)2Ba)。
优选地,x的取值为0.05,y的取值为0.06。
优选地,气相沉积设备的真空度为4.0×10-3Pa。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司,未经海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310347039.6/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。