[发明专利]喷淋头以及气相沉积反应腔

权利要求书

1.一种用于气相沉积的反应腔的喷淋头，所述反应腔包括气体反应区域，所述喷淋头邻近所述气体反应区域设置，所述喷淋头用于向所述气体反应区域输出反应气体，所述喷淋头至少包括第一源气体腔和冷却腔，所述第一源气体腔内通入第一源气体；

其特征在于：所述喷淋头还包括一离子化腔，所述第一源气体腔设置在所述喷淋头背离所述气体反应区域的一侧，所述离子化腔设置在所述喷淋头面向所述气体反应区域的一侧，所述离子化腔内通入第二源气体，以对所述第二源气体进行离子化，所述离子化腔与所述气体反应区域之间设置有出气通道，所述离子化腔与所述气体反应区域之间通过所述出气通道连通，所述第一源气体腔至少与一第一气管连通，所述第一气管穿过所述冷却腔和离子化腔，并连通所述气体反应区域；

其中，所述第二源气体的分解温度高于所述第一源气体的分解温度。

2.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：所述第一源气体腔和所述冷却腔之间还设置有一第二源气体腔，所述第二源气体腔内通有所述第二源气体，所述第二源气体腔与至少一第二气管连通，所述第二气管穿过所述冷却腔，并连通所述离子化腔，以向所述离子化腔内通入所述第二源气体，所述第一气管还穿过所述第二源气体腔。

3.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：所述第一源气体腔、冷却腔和离子化腔依次层叠设置，所述离子化腔还具有一气体输入管，所述第二源气体通过所述气体输入管流入所述离子化腔。

4.如权利要求3所述的喷淋头，其特征在于：所述气体输入管位于所述离子化腔的侧壁。

5.如权利要求1-4中任意一项所述的喷淋头，其特征在于：所述离子化腔中具有相对设置的第一电极以及第二电极，在所述第一电极和第二电极之间施加射频信号。

6.如权利要求5所述的喷淋头，其特征在于：所述第一电极为所述离子化腔的顶壁，所述第二电极为所述离子化腔的底壁，所述第一电极和第二电极之间具有一绝缘垫。

7.如权利要求6所述的喷淋头，其特征在于：所述绝缘垫为所述离子化腔的侧壁。

8.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：所述出气通道为气体孔。

9.如权利要求8所述的喷淋头，其特征在于：所述气体孔的直径大于所述第一气管的直径，所述第一气管设置于所述气体孔中。

10.如权利要求1所述的喷淋头，其特征在于：所述第一源气体为三甲基镓、三甲基铝或三甲基铟中的一种或几种的组合，所述第二源气体为磷化氢、砷化氢或氨气中的一种或几种的组合。

11.一种气相沉积反应腔，其包括腔体、用于装载衬底的托盘和喷淋头，所述托盘设置于所述腔体的底部，所述喷淋头设置在所述腔体的顶部并与所述托盘相对设置，所述托盘与所述喷淋头之间限定气体反应区域，所述喷淋头用于向所述气体反应区域输出反应气体，其特征在于：所述喷淋头为如权利要求1-10中任意一项所述的喷淋头。

12.如权利要求11所述的气相沉积反应腔，其特征在于：在气相沉积工艺时，所述托盘的温度为500℃～900℃。