[发明专利]嵌入式存储元件及其制造方法

权利要求书

1.一种嵌入式存储元件，其特征在于包括：

衬底，所述衬底包括晶胞区；

多个栅极结构，位于所述衬底的所述晶胞区上，其中每个所述栅极结构的顶部包括掩膜层；

源极区与漏极区，分别位于所述晶胞区的所述多个栅极结构的两侧的所述衬底中；

第一接触窗插塞，位于在所述多个栅极结构之间的所述衬底上，与所述源极区接触，其中所述第一接触窗插塞的顶面高度高于所述掩膜层的底面高度；

第二接触窗插塞，位于在所述多个栅极结构之间的所述衬底上，与所述漏极区接触，其中所述第一接触窗插塞的顶面高度低于所述第二接触窗插塞的顶面高度；

介电层，在所述第一接触窗插塞以及所述第二接触窗插塞周围，且所述介电层中具有一凹陷，裸露出所述第一接触窗插塞与所述掩膜层；

填充层，位于所述凹陷中；以及

导体层，位于所述衬底上，所述导体层与所述第二接触窗插塞接触，且所述导体层通过所述填充层与所述第一接触窗电性隔绝。

2.如权利要求1所述的嵌入式存储元件，其中所述掩膜层包括上掩膜层与下掩膜层，且所述凹陷裸露出所述上掩膜层，且所述第一接触窗插塞的顶面高度高于所述下掩膜层的底面高度。

3.如权利要求1所述的嵌入式存储元件，其中所述填充层包括:

第一绝缘层，位于所述凹陷的侧壁与底部；以及

第二绝缘层，填满所述凹陷。

4.如权利要求3所述的嵌入式存储元件，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材料不同。

5.如权利要求4所述的嵌入式存储元件，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层其中之一的材料包括氧化硅，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的另一材料包括氮化硅。

6.如权利要求5所述的嵌入式存储元件，其中所述第一绝缘层的材料包括氮化硅，所述第二绝缘层的材料包括氧化硅。

7.如权利要求5所述的嵌入式存储元件，其中所述氧化硅包括旋涂式玻璃。

8.一种嵌入式存储元件的制造方法，其特征在于包括：

提供衬底，所述衬底包括晶胞区；

在所述衬底的所述晶胞区上形成多个栅极结构，其中每个所述栅极结构的顶部包括掩膜层；

于所述多个栅极结构之间的所述衬底中形成一源极区与一漏极区；

在所述多个栅极结构之间形成一第一接触窗插塞，与所述源极区接触，并形成一第二接触窗插塞，与所述漏极区接触，并在所述第一接触窗插塞以及所述第二接触窗插塞周围形成介电层；

在所述衬底上形成蚀刻掩膜，所述蚀刻掩膜具有开口，至少裸露出所述第一接触窗插塞与所述掩膜层，其后，移除所述开口裸露的部分所述第一接触窗插塞与部分所述掩膜层，以形成凹陷，在形成所述凹陷后，所述第一接触窗插塞的顶面高度高于所述掩膜层的底面高度；

移除所述蚀刻掩膜；

于所述凹陷中形成填充层；以及

于所述衬底上形成导体层，所述导体层与所述第二接触窗插塞接触，并且通过所述填充层与所述第一接触窗插塞电性隔绝。

9.如权利要求8所述的嵌入式存储元件的制造方法，其中形成所述填充层的方法包括:

在所述介电层、所述第二接触窗插塞、所述凹陷的侧壁与底部形成第一绝缘层；

于所述第一绝缘层上形成一第二绝缘层，所述第二绝缘层填满所述凹陷；

平坦化所述第二绝缘层，移除位于所述介电层以及所述第二接触窗插塞上的第二绝缘层；以及

移除位于所述介电层以及所述第二接触窗插塞上的所述第一绝缘层。

10.如权利要求9所述的嵌入式存储元件的制造方法，其中平坦化所述第二绝缘层的方法包括化学机械研磨法。

11.如权利要求9所述的嵌入式存储元件的制造方法，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的材料不同。

12.如权利要求11所述的嵌入式存储元件的制造方法，其中所述第一绝缘层与所述第二绝缘层其中之一的材料包括氧化硅，所述第一绝缘层与所述第二绝缘层的另一材料包括氮化硅。

13.如权利要求12所述的嵌入式存储元件的制造方法，其中所述第一绝缘层的材料包括氮化硅，所述第二绝缘层的材料包括氧化硅。

14.如权利要求13所述的嵌入式存储元件的制造方法，其中所述氧化硅包括旋涂式玻璃。