[发明专利]高频半导体开关及无线设备

权利要求书

1.一种高频半导体开关，其特征在于，具备：

第1端子；

多个第2端子；

第1直通FET组，由串联连接的多个第1场效应晶体管构成，一端与上述第1端子连接；

多个第2直通FET组，分别由串联连接的多个第2场效应晶体管构成，各自的一端分别与上述多个第2端子连接，各自的另一端共通地与上述第1直通FET组的另一端连接；以及

分流FET组，由串联连接在上述第2端子和接地端子之间的多个第3场效应晶体管构成；

将构成上述第1直通FET组的上述第1场效应晶体管的个数设为n、将分别构成上述第2直通FET组的上述第2场效应晶体管的个数设为m、并将上述第2直通FET组的个数设为x的情况下，

上述第2场效应晶体管的个数m被设定为，在上述第1直通FET组为导通状态且多个上述第2直通FET组为非导通状态时，多个上述第2直通FET组的上述第2场效应晶体管的源漏极间电压不超过击穿电压，而且，

上述第1场效应晶体管的个数n根据上述x及上述m的值被设定为，在上述第1直通FET组及上述第2直通FET组为非导通状态时，上述第1直通FET组的上述第1场效应晶体管的源漏极间电压不超过击穿电压。

2.根据权利要求1所记载的高频半导体开关，其中，

将在上述第2直通FET组的上述第2场效应晶体管的源漏极间施加的最大电压与击穿电压之比设为y、将上述第1直通FET组的上述第1场效应晶体管的栅极宽度设为WgA、并将上述多个第2直通FET组的上述第2场效应晶体管的栅极宽度设为WgB的情况下，

上述n的值被设定为满足下式：

n≥m·{y-WgA/（x·WgB）}。

3.根据权利要求2所记载的高频半导体开关，其中，

上述第1直通FET组的上述第1场效应晶体管的上述栅极宽度和构成多个上述第2直通FET组的上述第2场效应晶体管的上述栅极宽度相等。

4.根据权利要求1所记载的高频半导体开关，其中，

上述第1直通FET组的上述第1场效应晶体管、多个上述第2直通FET组的上述第2场效应晶体管、及多个上述分流FET组的上述第3场效应晶体管，是在SOI上形成的完全耗尽型MOSFET，并且背栅被电浮置。

5.根据权利要求1所记载的高频半导体开关，其中，

上述第1直通FET组的上述第1场效应晶体管、多个上述第2直通FET组的上述第2场效应晶体管、及多个上述分流FET组的上述第3场效应晶体管，是在SOI上形成的完全耗尽型MOSFET，并且通过对上述各场效应晶体管的背栅施加电压而被电控制。

6.一种无线设备，其特征在于，具备：

多个开关，该多个开关的构成与上述权利要求1所记载的高频半导体开关实质上相同；

天线，与上述多个开关的多个第1端子连接，放射或接收电波；

发送电路，与上述多个开关的一个第2端子连接，经由上述天线发送信号；

接收电路，与上述多个开关的另一个第2端子连接，对经由上述天线接收到的信号进行解调；以及

无线控制电路，向上述多个开关输出开关控制信号，该开关控制信号将上述天线与上述发送电路或上述接收电路切换地连接。

7.根据权利要求6所记载的无线设备，其中，

上述发送电路及上述接收电路被一体化为收发电路。