[发明专利]应用于主从设备的通信装置

权利要求书

1.一种应用于主从设备的通信装置，其特征在于，包括：一个主设备、编号1至M的M个从设备和编号1至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET；

针对第i从设备，1≤i≤M：

第2i-1个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行时钟线SCL接口和电阻R1的一端相连，第二端与所述第i从设备的SCL接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；

第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连，第二端与所述第i从设备的SDA接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；

所述电阻R1和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连；

其中，所述M、i均为自然数，所述SCL接口和SDA接口均属于两线式串行接口TWI，且所述第一直流电源为所述主设备的工作电源。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括编号1至M的M个电阻R3;

针对第i个电阻R3,1≤i≤M:

所述第i个电阻R3的一端与所述第i使能控制接口、第2i-1个N沟道MOSFET的第三端和第2i个N沟道MOSFET的第三端的公共端相连，另一端接地。

3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述N沟道MOSFET的第一端为漏极、第二端为源极、第三端为栅极。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，还包括：编号1至M的M个电阻R4和编号1至M的M个电阻R5；

针对第i个电阻R4，1≤i≤M：

所述第i个电阻R4的一端分别与所述第i从设备的SCL接口和所述第2i-1个N沟道MOSFET的源极相连，另一端与第二直流电源相连；

针对第i个电阻R5，1≤i≤M：

所述第i个电阻R5的一端分别与所述第i从设备的SDA接口和所述第2i个N沟道MOSFET的源极相连，另一端与所述第二直流电源相连；

其中，所述第二直流电源为第i从设备的工作电源。

5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述N沟道MOSFET的第一端为源极、第二端为漏极、第三端为栅极。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，还包括：编号1至M的M个电阻R4和编号1至M的M个电阻R5；

针对第i个电阻R4，1≤i≤M：

所述第i个电阻R4的一端分别与所述第i个从设备的SCL接口和所述第2i-1个N沟道MOSFET的漏极相连，另一端与第二直流电源相连；

针对第i个电阻R5,1≤i≤M:

所述第i个电阻R5的一端分别与所述第i个从设备的SDA接口和所述第2i个N沟道MOSFET的漏极相连，另一端与所述第二直流电源相连;

其中，所述第二直流电源为第i从设备的工作电源。

7.根据权利要求3或5所述的装置，其特征在于，还包括：编号1至2M的2M个二极管；

针对第P个二极管，P为自然数，且1≤P≤2M:

第P个二极管的阳极与第P个N沟道MOSFET的源极相连、阴极与所述第P个N沟道MOSFET的漏极相连。