[发明专利]应用于主从设备的通信装置

说明书

技术领域

本发明涉及利用两线式串行接口TWI（Two Wire Serial Interface）总线进行通信的技术领域，特别涉及一种应用于主从设备的通信装置。

背景技术

在利用TWI总线进行主从通信的系统中，主设备的一个TWI接口通过TWI总线只能接一个从设备或多个不同地址的从设备，即对于只具有一个TWI接口的主设备只能与一个从设备或多个不同地址的从设备进行通信。

而当主设备的一个TWI接口通过TWI总线接多个相同地址的从设备时，会因从设备的地址冲突而无法进行正常通信。因此，对于只具有一个TWI接口的主设备，是无法与多个地址相同的从设备进行通信的。

发明内容

有鉴于此，本发明的目的在于提供一种应用于主从设备的通信装置，以使得对于只具有一个TWI接口的主设备，可以与多个地址相同的从设备进行通信。

为实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种应用于主从设备的通信装置，包括：一个主设备、编号1至M的M个从设备和编号1至2M的2M个N沟道金属氧化物半导体场效应管MOSFET；

针对第i从设备，1≤i≤M：

第2i-1个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行时钟线SCL接口和电阻R1的一端相连，第二端与所述第i从设备的SCL接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；

第2i个N沟道MOSFET的第一端分别与所述主设备的串行数据线SDA接口和电阻R2的一端相连，第二端与所述第i从设备的SDA接口相连，第三端与所述主设备的第i使能控制接口相连；

所述电阻R1和电阻R2的另一端均与第一直流电源相连；

其中，所述M、i均为自然数，所述SCL接口和SDA接口均属于两线式串行接口TWI，且所述第一直流电源为所述主设备的工作电源。

优选的，所述装置还包括编号1至M的M个电阻R3;

针对第i个电阻R3,1≤i≤M:

所述第i个电阻R3的一端与所述第i使能控制接口、第2i-1个N沟道MOSFET的第三端和第2i个N沟道MOSFET的第三端的公共端相连，另一端接地。

优选的，所述N沟道MOSFET的第一端为漏极、第二端为源极、第三端为栅极。

优选的，所述装置还包括：编号1至M的M个电阻R4和编号1至M的M个电阻R5；

针对第i个电阻R4，1≤i≤M：

所述第i个电阻R4的一端分别与所述第i从设备的SCL接口和所述第2i-1个N沟道MOSFET的源极相连，另一端与第二直流电源相连；

针对第i个电阻R5，1≤i≤M：

所述第i个电阻R5的一端分别与所述第i从设备的SDA接口和所述第2i个N沟道MOSFET的源极相连，另一端与所述第二直流电源相连；

其中，所述第二直流电源为第i从设备的工作电源。

优选的，所述N沟道MOSFET的第一端为源极、第二端为漏极、第三端为栅极。

优选的，所述装置还包括：编号1至M的M个电阻R4和编号1至M的M个电阻R5；

针对第i个电阻R4，1≤i≤M：

所述第i个电阻R4的一端分别与所述第i个从设备的SCL接口和所述第2i-1个N沟道MOSFET的漏极相连，另一端与第二直流电源相连；

针对第i个电阻R5,1≤i≤M:

所述第i个电阻R5的一端分别与所述第i个从设备的SDA接口和所述第2i个N沟道MOSFET的漏极相连，另一端与所述第二直流电源相连;

其中，所述第二直流电源为第i从设备的工作电源。

优选的，所述装置还包括：编号1至2M的2M个二极管；

针对第P个二极管，P为自然数，且1≤P≤2M:

第P个二极管的阳极与第P个N沟道MOSFET的源极相连、阴极与所述第P个N沟道MOSFET的漏极相连。