[发明专利]溅射靶及包括通过其沉积的黑矩阵的有机发光显示装置无效
申请号: | 201310355881.4 | 申请日: | 2013-08-15 |
公开(公告)号: | CN103594486A | 公开(公告)日: | 2014-02-19 |
发明(设计)人: | 韩镇宇;金义洙;朴承元;孙仁成;申柔敏 | 申请(专利权)人: | 三星康宁精密素材株式会社 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;C23C14/34 |
代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 刘灿强;韩芳 |
地址: | 韩国庆尚*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 溅射 包括 通过 沉积 矩阵 有机 发光 显示装置 | ||
本申请要求于2012年8月16日提交的第10-2012-0089332号韩国专利申请的优先权,出于全部目的通过引用将上述申请的全部内容包含于此。
技术领域
本发明涉及一种溅射靶以及一种包括通过溅射靶沉积的黑矩阵的有机发光显示装置,更具体地说,涉及一种具有混合了金属和金属氧化物的金属陶瓷结构的溅射靶以及一种包括通过溅射靶沉积的黑矩阵的有机发光显示装置。
背景技术
通常,有机发光器件(OLED)包括阳极、发光层和阴极。当在阳极和阴极之间施加电压时,空穴从阳极注入到空穴注入层中然后经由空穴传输层从空穴注入层迁移到有机发光层,而电子从阴极注入到电子注入层中然后经由电子传输层从电子注入层迁移到发光层。已经迁移到发光层中的空穴和电子在发光层中彼此复合,由此产生激子。当这种激子从激发态跃迁到基态时,发出光。
根据对按矩阵的形状布置的数量为N×M个像素进行驱动的机制,包括OLED的有机发光显示器被分成被动矩阵类型和主动矩阵类型。
在主动矩阵类型中,限定发光区域的像素电极和将电流或电压施加到像素电极的单元像素驱动电路位于单元像素区域中。单元像素驱动电路具有至少两个薄膜晶体管(TFT)和一个电容器。由于这种构造,无论像素的数量如何,单元像素驱动电路可以供应恒定的电流,由此实现均匀的亮度。主动矩阵类型的有机发光显示器消耗少量功率,因此可以有利地应用于高清晰度显示器和大的显示器。
然而,由于作为OLED的组件的有机发光层太薄,因此当诸如椭圆偏振器的滤光器未附着到有机发光显示装置时,从阴极或阳极反射外部光,由此难以实现全黑,这是有问题的。具体地说,目前商业分布的有机发光显示装置采用了阳极和阴极都由金属制成的MM结构。然而,这存在如下问题:由于外部光从内部反射层的反射更强导致对比度降低。因此,有机发光显示装置采用诸如椭圆偏振器的滤光器,以防止该问题。
椭圆偏振器包括线性偏振器和相位差板。虽然椭圆偏振器用于阻挡外部光,但是椭圆偏振器另外造成了使从内部产生的光减少的问题。另外,由于椭圆偏振器是通过将线性偏振器和相位差板彼此结合来制造的,因此椭圆偏振器不仅更加昂贵而且还比典型的滤光器厚。因此,当椭圆偏振器应用于柔性的或可折叠的显示器时,线性偏振器和相位差板可能会彼此分开或者从电路板剥离,这是有问题的。
为了克服该问题,正在进行对由黑矩阵和滤光器来替代椭圆偏振器的研究。
然而,不同于液晶显示装置(LCD),有机发光显示装置使用利用准分子激光晶化的多晶Si薄膜晶体管(TFT)。然而,存在的问题在于,现有技术中的有机黑矩阵无法经受使用准分子激光的晶化过程。另外,被广泛地应用于现有技术中的黑矩阵中的Cr和Cr氧化物(Cr2O3)被认为是环境污染物,因而难以仍使用这些材料。
提供本发明的背景部分中公开的信息仅是为了更好地理解本发明的背景,而不应该被认为是承认或者以任何形式表明该信息形成已经为本领域技术人员知晓的现有技术。
发明内容
本发明的各种方面提供一种具有混合了金属和金属氧化物的金属陶瓷结构的溅射靶以及一种包括通过溅射靶沉积的黑矩阵的有机发光显示装置。
在本发明的一方面,提供了一种在有机发光显示装置中沉积黑矩阵的溅射工艺中使用的溅射靶。所述溅射靶具有混合了金属和金属氧化物的金属陶瓷结构。
根据本发明的示例性实施例,金属可以是从由Mo、Si、W、Mn和Co组成的组中选择的至少一种。
金属氧化物可以是从由Mo、Si、W、Mn和Co组成的组中选择的至少一种与O的化合物。
在本发明的另一方面,提供了一种有机发光显示装置,所述有机发光显示装置包括:基底,在其上限定第一区域和第二区域;黑矩阵,形成在第二区域上;绝缘层,形成在第一区域和黑矩阵上;有机发光器件(OLED),形成在与第一区域相对应的绝缘层上;薄膜晶体管,形成在与第二区域相对应的绝缘层上。黑矩阵具有混合了金属和金属氧化物的金属陶瓷结构。
根据本发明的示例性实施例,金属可以是从由Mo、Si、W、Mn和Co组成的组中选择的至少一种。
金属氧化物可以是从由Mo、Si、W、Mn和Co组成的组中选择的一种与O的化合物。
所述有机发光显示装置可以具有底部发射结构。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的