[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于其具有第一角隅及第二角隅，该半导体结构还包含：

载体，其具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区；

第一保护层，其设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该第一设置区的角隅；

第二保护层，其设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面，该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及位于该第二设置区及该第二抗应力区外侧的第二显露区，该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅；以及

第三保护层，其设置于该第二设置区，且该第三保护层显露该第二抗应力区及该第二显露区，该第一抗应力区及该第二抗应力区位于该第一角隅，且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该第二保护层具有第一侧墙、第二侧墙及连接该第一侧墙与该第二侧墙的第一导接墙，该第一侧墙具有第一底边且该第一底边具有第一端点，该第二侧墙具有第二底边且该第二底边具有第二端点，由该第一底边的该第一端点延伸形成的第一延伸线与由该第二底边的该第二端点延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点，且连接该第一基点、该第一端点与该第二端点所形成的区域为该第一抗应力区。

3.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该第三保护层具有第三侧墙、第四侧墙及连接该第三侧墙与该第四侧墙的第二导接墙，该第三侧墙具有第三底边且该第三底边具有第三端点，该第四侧墙具有第四底边且该第四底边具有第四端点，由该第三底边的该第三端点延伸形成的第三延伸线与由该第四底边的该第四端点延伸形成的第四延伸线相交形成有第二基点，且连接该第二基点、该第三端点与该第四端点所形成的区域为该第二抗应力区。

4.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于该第二基点与该第三端点间具有第一距离，该第二基点与该第四端点具有第二距离，该第一距离等于该第二距离。

5.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于该第二保护层具有第一侧墙、第二侧墙及连接该第一侧墙与该第二侧墙的第一导接墙，该第一侧墙具有第一顶边且该第一顶边具有第五端点，该第二侧墙具有第二顶边且该第二顶边具有第六端点，该第五端点至该第三端点之间具有第三距离，该第三距离为该第一顶边至该第三底边的最短距离，该第六端点至该第四端点之间具有第四距离，该第四距离为该第二顶边至该第四底边的最短距离。

6.如权利要求2所述的半导体结构，其特征在于该第一导接墙为平面或弧面。

7.如权利要求3所述的半导体结构，其特征在于该第二导接墙为平面或弧面。

8.如权利要求1所述的半导体结构，其特征在于该第一保护层的该第一表面具有第三抗应力区，且该第三抗应力区位于该第一设置区的角隅，该第二保护层显露该第三抗应力区，该第二保护层的该第二表面具有第四抗应力区，该第四抗应力区位于该第二设置区的角隅，且该第三保护层显露该第四抗应力区，该第三抗应力区及该第四抗应力区位于该第二角隅，且该第三抗应力区的面积不小于该第四抗应力区的面积。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于该第二保护层具有第一侧墙、第五侧墙及连接该第一侧墙与该第五侧墙的第三导接墙，该第一侧墙具有第一底边且该第一底边具有第七端点，该第五侧墙具有第五底边且该第五底边具有第八端点，由该第一底边的该第七端点延伸形成的第五延伸线与由该第五底边的该第八端点延伸形成的第六延伸线相交形成有第三基点，且连接该第三基点、该第七端点与该第八端点所形成的区域为该第三抗应力区。

10.如权利要求8所述的半导体结构，其特征在于该第三保护层具有第三侧墙、第六侧墙及连接该第三侧墙与该第六侧墙的第四导接墙，该第三侧墙具有第三底边且该第三底边具有第九端点，该第六侧墙具有第六底边且该第六底边具有第十端点，由该第三底边的该第九端点延伸形成的第七延伸线与由该第六底边的该第十端点延伸形成的第八延伸线相交形成有第四基点，且连接该第四基点、该第九端点与该第十端点所形成的区域为该第四抗应力区。