[发明专利]半导体结构

说明书

技术领域

本发明是关于一种半导体结构，特别是一种可避免应力集中于角隅的半导体结构。

背景技术

请参阅图7，为一种公知的半导体结构200，其具有载体210、第一保护层220、第二保护层230以及第三保护层240，该载体具有表面211，该第一保护层220设置于该表面211上，且该第一保护层220具有第一侧墙221及连接该第一侧墙221的第二侧墙222，该第二保护层230设置于该第一保护层220上，该第二保护层230具有第三侧墙231及连接该第三侧墙231的第四侧墙232，该第三保护层240设置于该第二保护层230上，该第三保护层240具有第五侧墙241及连接该第五侧墙241的第六侧墙242，由于该第一保护层220、该第二保护层230及该第三保护层240的尺寸不同，且该第二保护层230的该第三侧墙231及该第四侧墙232连接处为直角，该第三保护层240的该第五侧墙241及该第六侧墙242连接处亦为直角，因此当该第一保护层220、该第二保护层230及该第三保护层240层设于该载体210的该表面211上时，应力容易集中于该第二保护层230的该第三侧墙231及该第四侧墙232连接处，使得该第三侧墙231及该第四侧墙232连接处破裂或断离，进而影响该半导体结构200的良率。

由此可见，上述现有的半导体结构在结构与使用上，显然仍存在有不便与缺陷，而亟待加以进一步改进。为了解决上述存在的问题，相关厂商莫不费尽心思来谋求解决之道，但长久以来一直未见适用的设计被发展完成，而一般产品又没有适切结构能够解决上述问题，此显然是相关业者急欲解决的问题。因此如何能创设一种新型的半导体结构,实属当前重要研发课题之一，亦成为当前业界极需改进的目标。

发明内容

本发明的主要目的在于提供一种半导体结构，其借由各保护层的表面具有抗应力区，使得应力不会集中于各保护层的角隅，可避免半导体结构由角隅处破裂或断离。

本发明的目的及解决其技术问题是采用以下技术方案来实现的。依据本发明提出的半导体结构，其具有第一角隅及第二角隅，该半导体结构还包含：载体，其具有载体表面，该载体表面具有保护层设置区及位于该保护层设置区外侧的保护层显露区；第一保护层，其设置于该保护层设置区，该第一保护层具有第一表面，该第一表面具有第一设置区、第一抗应力区及位于该第一设置区及该第一抗应力区外侧的第一显露区，该第一抗应力区位于该第一设置区的角隅；第二保护层，其设置于该第一设置区，且该第二保护层显露该第一抗应力区及该第一显露区，该第二保护层具有第二表面，该第二表面具有第二设置区、第二抗应力区及位于该第二设置区及该第二抗应力区外侧的第二显露区，该第二抗应力区位于该第二设置区的角隅；以及第三保护层，其设置于该第二设置区，且该第三保护层显露该第二抗应力区及该第二显露区，该第一抗应力区及该第二抗应力区位于该第一角隅，且该第一抗应力区的面积不小于该第二抗应力区的面积。

本发明的目的及解决其技术问题还可采用以下技术措施进一步实现。

前述的半导体结构，其中该第二保护层具有第一侧墙、第二侧墙及连接该第一侧墙与该第二侧墙的第一导接墙，该第一侧墙具有第一底边且该第一底边具有第一端点，该第二侧墙具有第二底边且该第二底边具有第二端点，由该第一底边的该第一端点延伸形成的第一延伸线与由该第二底边的该第二端点延伸形成的第二延伸线相交形成有第一基点，且连接该第一基点、该第一端点与该第二端点所形成的区域为该第一抗应力区。

前述的半导体结构，其中该第三保护层具有第三侧墙、第四侧墙及连接该第三侧墙与该第四侧墙的第二导接墙，该第三侧墙具有第三底边且该第三底边具有第三端点，该第四侧墙具有第四底边且该第四底边具有第四端点，由该第三底边的该第三端点延伸形成的第三延伸线与由该第四底边的该第四端点延伸形成的第四延伸线相交形成有第二基点，且连接该第二基点、该第三端点与该第四端点所形成的区域为该第二抗应力区。

前述的半导体结构，其中该第二基点与该第三端点间具有第一距离，该第二基点与该第四端点具有第二距离，该第一距离等于该第二距离。

前述的半导体结构，其中该第二保护层具有第一侧墙、第二侧墙及连接该第一侧墙与该第二侧墙的第一导接墙，该第一侧墙具有第一顶边且该第一顶边具有第五端点，该第二侧墙具有第二顶边且该第二顶边具有第六端点，该第五端点至该第三端点之间具有第三距离，该第三距离为该第一顶边至该第三底边的最短距离，该第六端点至该第四端点之间具有第四距离，该第四距离为该第二顶边至该第四底边的最短距离。

前述的半导体结构，其中该第一导接墙为平面或弧面。