[发明专利]半导体封装件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201310357681.2 申请日: 2013-08-15
公开(公告)号: CN104377179B 公开(公告)日: 2018-09-18
发明(设计)人: 翁承谊 申请(专利权)人: 日月光半导体制造股份有限公司
主分类号: H01L23/367 分类号: H01L23/367;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/58
代理公司: 上海专利商标事务所有限公司 31100 代理人: 陆勍
地址: 中国台湾高雄市*** 国省代码: 中国台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 半导体 封装 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种半导体封装件的制造方法,包括:

设置一芯片于一基板上;

并列设置一散热片对应于该基板;

形成一包覆材料于该散热片及该基板之间,其中该包覆材料包覆该芯片,且具有一上表面;

形成一第一切割道依序经过该散热片及该包覆材料的一部分,其中该散热片形成一外侧面,而该包覆材料形成一第一外侧面;

蚀刻该散热片,使该散热片的该外侧面相对该包覆材料的该第一外侧面内缩;以及

形成一第二切割道经过该基板及该包覆材料的其余部分,其中该基板形成一外侧面,且该包覆材料的该第一外侧面相对该基板的该外侧面内缩;

其中于形成该第一切割道依序经过该散热片及该包覆材料的该部分的步骤后,该散热片形成一毛边;

其中于蚀刻该散热片的步骤中,该毛边被移除。

2.一种半导体封装件的制造方法,包括:

设置一芯片于一基板上;

并列设置一散热片对应于该基板;

形成一包覆材料于该散热片及该基板之间,其中该包覆材料包覆该芯片,且具有一上表面;

形成一第一切割道依序经过该散热片及该包覆材料的一部分,其中该散热片形成一外侧面,而该包覆材料形成一第一外侧面;

蚀刻该散热片,使该散热片的该外侧面相对该包覆材料的该第一外侧面内缩;以及

形成一第二切割道经过该基板及该包覆材料的其余部分,其中该基板形成一外侧面,且该包覆材料的该第一外侧面相对该基板的该外侧面内缩;

其中于并列设置该散热片对应于该基板的步骤中,该散热片包括一铜层及一金属层,其中该铜层设于该包覆材料的该上表面上且具有一上表面,而该金属层形成于该铜层的该上表面上;

于形成该第一切割道依序经过该散热片及该包覆材料的该部分的步骤后,该铜层及该金属层各形成一毛边;于蚀刻该散热片的步骤中,该铜层的该毛边被移除;于形成该第二切割道经过该基板及该包覆材料的其余部分的过程中,该金属层的该毛边脱落。

3.如权利要求2所述的制造方法,其特征在于,该铜层具有一第三外侧面,该铜层的该第三外侧面是一内凹曲面。

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