[发明专利]一种双银低辐射镀膜玻璃及其制备方法

权利要求书

1.一种双银低辐射镀膜玻璃，包括玻璃基片和镀在所述玻璃基片表面的膜层；其特征在于：所述膜层自所述玻璃基片的一侧向外依次包括第一介质层、第一银层、第一保护层、第二介质层、第二银层、第二保护层、第三介质层、第三保护层及第四介质层。

2.根据权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层及所述第四介质层为金属氧化层或硅的氮化层。

3.根据权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层及所述第四介质层可设置为金属氧化层或硅的氮化层组合的两层或多层。

4.根据权利要求2或3所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述金属氧化层为ZnO_X层。

5.根据权利要求2或3所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述金属氧化层为AZO层，所述AZO层是由ZnO_X、AlO_X烧制而成的具有陶瓷功能的氧化物膜层。

6.根据权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一保护层、所述第二保护层及所述第三保护层均为NiCr层。

7.根据权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一介质层、所述第二介质层、所述第三介质层及所述第四介质层的每层厚度为10～80nm。

8.根据权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一保护层、所述第二保护层及所述第三保护层的每层厚度为0.5～10nm。

9.根据权利要求1所述的双银低辐射镀膜玻璃，其特征在于：所述第一银层及所述第二银层的每层厚度为1～30nm。

10.如权利要求1-9任一项所述的双银低辐射镀膜玻璃的制备方法，包括在所述玻璃基片表面镀膜，其特征在于：所述镀膜层采用磁控溅射方法镀覆而成，将所述玻璃基片放入真空磁控溅射镀膜设备的靶材室自玻璃基片一侧向外逐层镀膜，所述靶材室的靶材包括AZO陶瓷靶、银靶、镍铬靶、锌铝靶、硅铝靶中的至少一个。