[发明专利]激光加工装置

说明书

技术领域

本发明涉及照射相对于半导体晶片等被加工物具有透过性的激光光线来在被加工物的内部形成改质层的激光加工装置。

背景技术

在半导体器件制造工序中，由在作为大致圆板形状的半导体晶片的表面上排列为格子状的被称作间隔道的分割预定线划分多个区域，在该划分的区域上形成IC、LSI等器件。然后，通过分割沿着间隔道切断半导体晶片来分别形成了器件的区域，制造出一个个半导体芯片。此外，在蓝宝石基板的表面上层叠了光电二极管等受光元件和激光二极管等发光元件等而得到的光器件晶片也通过沿着间隔道切断而分割成一个个光电二极管、激光二极管等光器件，这些光器件被广泛用于电气设备。

作为分割半导体晶片等板状被加工物的方法，还尝试了以下激光加工方法：使用相对于该被加工物具有透过性的脉冲激光光线，将聚光点对准待分割的区域的内部，照射脉冲激光光线。使用该激光加工方法的分割方法从被加工物的一方的面侧将聚光点对准内部来照射相对于被加工物具有透过性的波长的脉冲激光光线，在被加工物的内部沿着间隔道连续地形成改质层，沿着强度由于形成该改质层而降低的间隔道施加外力，由此分割被加工物。（例如，参照专利文献1。）

然而，为了对晶片施加外力，使其沿着间隔道精密地破断，需要增大改质层的厚度、即改质层在晶片厚度方向上的尺寸。此外，由蓝宝石基板形成的晶片的莫氏硬度较高，因此需要沿着间隔道形成多层的改质层。通过上述的激光加工方法形成的改质层的厚度在脉冲激光光线的聚光点附近为10～50μm，因此为了增大改质层的厚度，需要使脉冲激光光线的聚光点的位置在晶片的厚度方向上位移，并使脉冲激光光线和晶片沿着间隔道反复相对地移动。因此，特别是晶片的厚度比较厚的情况下，为了精密地使晶片破断，需要长时间来形成所需要的厚度的改质层。

为了解决上述问题，下述专利文献2中公开了能够在上下形成两个聚光点而同时形成两层改质层的激光加工装置。

专利文献1：日本专利第3408805号公报

专利文献2：日本特开2006-95529号公报

然而，在上述专利文献2所公开的激光加工装置中，在要形成的改质层为多个的情况下是没有问题的，但在形成奇数的改质层的情况下聚光点过多，过多的聚光点在晶片的上表面引起烧蚀，存在导致质量下降这样的问题。

发明内容

本发明正是鉴于上述事实而完成的，其主要的技术课题在于提供一种激光加工装置，该激光加工装置构成为，能够对在上下形成两个聚光点的方式和形成1个聚光点的方式进行选择。

为了解决上述主要的技术课题，根据本发明，提供一种激光加工装置，其具有：卡盘台，其保持被加工物；激光光线照射构件，其对该卡盘台所保持的被加工物照射激光光线；以及加工进给构件，其对该卡盘台和该激光光线照射构件相对地进行加工进给，该激光加工装置的特征在于，

该激光光线照射构件具有：激光光线振荡器，其振荡出激光光线；输出调整构件，其调整该激光光线振荡器振荡出的激光光线的输出；聚光器，其使由该输出调整构件调整后的激光光线会聚，对该卡盘台所保持的被加工物照射激光光线；1/2波长板，其配设在该输出调整构件与该聚光器之间；偏振角调整构件，其调整通过该1/2波长板的激光光线的偏振角；以及控制构件，其控制该偏振角调整构件，

该聚光器具有双折射透镜和聚光物镜，

该控制构件控制该偏振角调整构件，调整通过该1/2波长板的激光光线的偏振角，将经由该双折射透镜并由该聚光物镜会聚的激光光线的聚光点适当变更为两个的方式和一个的方式。

上述控制构件对该输出调整构件进行控制，使得以第一方式控制偏振角调整构件时的进入到双折射透镜的激光光线的输出成为以第二方式控制偏振角调整构件时的激光光线的输出的1/2，其中，该第一方式为使经由双折射透镜并由聚光物镜会聚的激光光线的聚光点成为一个的方式，该第二方式为使经由双折射透镜并由聚光物镜会聚的激光光线的聚光点成为两个的方式。