[发明专利]制造有机发光设备的方法

说明书

相关申请的交叉引用

本专利申请要求享有韩国专利申请No.10-2013-0001239的优先权，该申请提交于2013年1月4日，其完整内容被引用合并于本申请。

技术领域

本发明的实施例总体涉及制造有机发光设备的方法，更具体地，涉及制造可以提高发光效率的有机发光设备的方法。

背景技术

一种有机发光设备包括两个电极和布置在其间的有机发光层。不同的公共层分别布置在两个电极和有机发光层之间。两个电极根据施加于两个电极的电压电平被归类为阳极和阴极。

起注入/传输空穴作用的第一公共层布置在阳极和有机发光层之间。并且，起注入/传输电子作用的第二公共层布置在阴极和有机发光层之间。

一种有机发光设备包括两个电极和布置在其间的发光层，在发光层中，从一个电极注入的电子同从另一个电极注入的空穴结合形成激子，当激子发射能量时发光。

当有机发光设备可以在低驱动电压下获得期望的发光效应时，可以说该有机发光设备具有高发光效率。发光效率通常由四个因素决定，即电荷平衡、激子产生效率、内量子产率和发光效率。四个因素中的每个都受电子/空穴迁移率的影响。

发明内容

电子/空穴迁移率随有机发光设备的电极层表面特性和公共层材料而变化。通过实施表面处理或添加新层可以改变电极层和公共层间的界面特性。可以通过紫外照射（UV）、使用惰性气体的等离子体等对电极层实施表面处理。表面处理可以改变表面晶体结构、电极层的化学性质等。并且，通过改变公共层材料可以控制公共层中电荷的注入/传输特性。材料的物理性质，如材料的晶体结构、复合物的组分比、折射率等，是决定发光效率的重要因素。

因而，本发明的实施例提供了制造可以提高发光效率的有机发光设备的方法。

根据本发明的一个方面，制造有机发光设备的方法包括在基板上形成第一电极层和对第一电极层的上表面进行等离子体处理。在一些实施例中，等离子体处理可以使用CF₄等离子体实施。第一公共层形成在经表面处理的第一电极层上。所述第一公共层包含并五苯。有机发光层形成在所述第一公共层上。第二公共层形成在所述有机发光层上，而后第二电极层形成在所述第二公共层上。

在一些实施例中，形成所述第一公共层可以包括形成空穴注入层和在所述空穴注入层上形成空穴传输层。

在其它实施例中，形成所述第二公共层可以包括在所述有机发光层上形成电子传输层和在所述电子传输层上形成电子注入层。当所述电子注入层和所述电子传输层布置在一起时，所述电子传输层可以布置在所述电子注入层和所述有机发光层之间。

在另外的实施例中，空穴阻挡层可以进一步布置在所述第二公共层和所述有机发光层之间。所述空穴阻挡层阻挡空穴的移动使空穴停留在发光层中。通过这样做，可以提高激子产生效率。

根据本发明的另一个方面，制造有机发光设备的方法包括形成4,7-二苯基-1,10-邻菲咯啉（4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline）的电子传输层。

根据本发明的另一个方面，制造有机发光设备的方法包括形成铟锡氧化物的第一电极层。

附图说明

本说明书包括附图，用以提供本发明构思的进一步理解，并且将附图纳入本说明书组成其一部分。附图图示本发明构思的示例性实施例，并且连同此描述一起用来解释本发明构思的原理。附图中：

图1是构造为根据本发明原理的实施例的有机发光设备的截面图。

图2A是形成在未经CF₄等离子体处理的电极上的并五苯有机层的原子显微图像。

图2B是形成在经CF₄等离子体处理的电极上的并五苯有机层的原子显微图像。

图3是示出构造为根据本发明原理的实施例的有机发光设备的电压-电流密度-亮度特性的图表。

图4A至图4G是示出根据本发明的实施例的制造有机发光设备的方法的截面图。

图5是构造为根据本发明原理的实施例的有机发光设备的截面图。

图6A是示出构造为根据本发明原理的实施例的有机发光设备的亮度-电流效率比的图表。

图6B是示出构造为根据本发明原理的实施例的有机发光设备的亮度-功率效率比的图表。以及

图7是构造为根据本发明原理的实施例的有机发光设备的截面图。

具体实施方式

以下将参考附图描述根据本发明构思的实施例的有机发光设备。