[发明专利]一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法有效
申请号: | 201310364252.8 | 申请日: | 2013-08-20 |
公开(公告)号: | CN104427456B | 公开(公告)日: | 2017-12-05 |
发明(设计)人: | 孙其梁 | 申请(专利权)人: | 无锡华润上华科技有限公司 |
主分类号: | H04R31/00 | 分类号: | H04R31/00 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司11332 | 代理人: | 胡彬 |
地址: | 214028 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 减少 微机 系统 麦克风 制作 过程 产生 方法 | ||
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺领域,具体涉及微机电系统麦克风制造工艺领域,尤其涉及一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法。
背景技术
在微机电系统(Micro-Electro-Mechanic System,MEMS)工艺中,针对麦克风产品,需要将振膜和基板中间的介质释放掉。
图1示出了介质释放前的微机电系统麦克风的截面示意图。如图1所示,介质释放前微机电系统麦克风包括带有声学后腔6的硅衬底1、位于所述硅衬底上的氧化膜2、位于所述氧化膜上的第一多晶硅层(Poly1)3、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层4、位于所述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层(Poly2)5,其中,在微机电系统麦克风中的Poly1表示麦克风的基板,Poly2表示麦克风的振膜。图2为与图1对应的微机电系统麦克风的俯视图,其中,图2上的小孔7称为音孔。图3为介质释放后微机电系统麦克风的截面示意图,介质释放后形成的空腔8称为声学前腔。
现有技术中,介质释放的工艺步骤为:(1)去除所述二氧化硅层,以形成声学前腔;(2)清洗所述微机电系统麦克风;(3)将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中;(4)烘干所述微机电系统麦克风。现有技术中进行烘干时,由于液体表面张力的影响,会带动微机电系统麦克风的振膜向基板移动,最终振膜和基板黏到一起,产生粘黏,如图4所示,而且该现象不可逆,也就是说无法将产生粘黏的麦克风的振膜和基板再分开,影响麦克风产品的良率。
发明内容
有鉴于此,本发明实施例提供一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法,通过在烘干所述微机电系统麦克风的同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动,以减少粘黏的产生,来解决以上背景技术部分提到的技术问题。
一方面,本发明实施例提出一种减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法,所述微机电系统麦克风包括带有声学后腔的硅衬底、位于所述硅衬底上的氧化膜、位于所述氧化膜上的第一多晶硅层、位于所述第一多晶硅层上的二氧化硅层、位于所述二氧化硅层上的具有音孔的第二多晶硅层,所述方法包括:
去除所述二氧化硅层,以形成声学前腔;
清洗所述微机电系统麦克风;
将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中;
烘干所述微机电系统麦克风,以使得所述声学前腔内的所述低表面张力液体挥发,同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动,以减少粘黏的产生,其中,所述振膜为所述微机电系统麦克风的第二多晶硅层。
进一步地,产生所述声波的声源的频率范围为20-2000赫兹,所述声源的声音分贝范围为50-100分贝。
进一步地,所述烘干所述微机电系统麦克风时采用的温度范围为30-100摄氏度。
进一步地,所述去除所述二氧化硅层采用的工艺为湿法腐蚀工艺。
进一步地,所述湿法腐蚀工艺使用的溶液为缓冲氧化物腐蚀(BOE)溶液。
进一步地,所述去除所述二氧化硅层的工艺时间依据需要去除的二氧化硅层的厚度和所用的溶液所含成分的比例进行调整。
进一步地,所述清洗所述微机电系统麦克风采用的清洗剂是去离子水。
进一步地,所述清洗所述微机电系统麦克风的清洗时间不小于十分钟。
进一步地,所述低表面张力液体包括:异丙醇(IPA)、酒精或丙酮。
进一步地,所述将所述微机电系统麦克风浸泡于低表面张力液体中所需的浸泡时间不小于十分钟。
本发明实施例提出的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法,通过在烘干所述微机电系统麦克风的同时用声波振动使所述微机电系统麦克风的振膜振动,以减少粘黏的产生,提高微机电系统麦克风的良率。
附图说明
图1是介质释放前的微机电系统麦克风的一般结构的截面示意图;
图2是微机电系统麦克风的俯视图;
图3是介质释放后的微机电系统麦克风的一般结构的截面示意图;
图4是现有技术中对微机电系统麦克风进行介质释放工艺时产生的粘黏的示意图;
图5是本发明第一实施例中的减少微机电系统麦克风制作过程中产生的粘黏的方法的流程图。
图1-图4中附图标记说明:1表示带有声学后腔6的硅衬底(SI),2表示氧化膜(OX),3表示第一多晶硅层(Poly1),4表示二氧化硅层(PE OX),5表示第二多晶硅层(Poly2),6表示声学后腔,7表示音孔,8表示声学前腔。
具体实施方式
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