[发明专利]带隙参考电压电路与其电子装置

权利要求书

1.一种带隙参考电压电路，其特征在于，所述带隙参考电压电路包括：

一电流镜单元，具有一第一端、一第二端与一回授端；

一运算放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，所述运算放大器的所述输出端耦接于所述电流镜单元的所述回授端；

一第一电阻，所述第一电阻的一端耦接于所述运算放大器的所述正输入端，所述第一电阻的另一端耦接于所述电流镜单元的所述第二端；

一第二电阻，所述第二电阻的一端耦接于所述运算放大器的所述正输入端；

一电压产生单元，具有一第一端与一第二端，所述电压产生单元的所述第二端耦接于所述第二电阻的另一端；以及

一辅助单元，所述辅助单元的一端耦接运算放大器的所述负输入端与所述电压产生单元的所述第一端，所述辅助单元的另一端耦接于所述电流镜单元的所述第一端；

其中，所述带隙参考电压电路于所述辅助单元的所述另一端输出一参考电压。

2.根据权利要求1所述的带隙参考电压电路，其特征在于，所述辅助单元具有与频率无关的阻抗。

3.根据权利要求1所述的带隙参考电压电路，其特征在于，所述电流镜单元包括：

一第一P型金属氧化物半导体晶体管；以及

一第二P型金属氧化物半导体晶体管；

其中，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接一电源供应端，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接所述运算放大器的所述输出端，且所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的漏极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的漏极分别耦接所述辅助单元的所述一端与所述第一电阻的所述另一端。

4.根据权利要求2所述的带隙参考电压电路，其特征在于，所述辅助单元为一电阻。

5.根据权利要求1所述的带隙参考电压电路，其特征在于，所述电压产生单元包括：

一第一双极接面晶体管；以及

一第二双极接面晶体管；

其中，所述第一双极接面晶体管的基极与所述第二双极接面晶体管的基极分别耦接所述第一双极接面晶体管的集极与所述第二双极接面晶体管的集极，所述第一双极接面晶体管射极与所述第二双极接面晶体管的射极耦接一接地端，所述第一双极接面晶体管的所述集极耦接所述运算放大器的所述负输入端与所述辅助单元的所述另一端，且所述第二双极接面晶体管的所述集极耦接所述第二电阻的所述另一端。

6.一种电子装置，其特征在于，所述电子装置包括：

一功能电路；以及

一带隙参考电压电路，耦接所述功能电路，用以提供一参考电压给所述功能电路，所述带隙参考电压电路包括：

一电流镜单元，具有一第一端、一第二端与一回授端；

一运算放大器，具有一正输入端、一负输入端以及一输出端，所述运算放大器的所述输出端耦接于所述电流镜单元的所述回授端；

一第一电阻，所述第一电阻的一端耦接于所述运算放大器的所述正输入端，所述第一电阻的另一端耦接于所述电流镜单元的所述第二端；

一第二电阻，所述第二电阻的一端耦接于所述运算放大器的所述正输入端；

一电压产生单元，具有一第一端与一第二端，所述电压产生单元的所述第二端耦接于所述第二电阻的另一端；以及

一辅助单元，所述辅助单元的一端耦接运算放大器的所述负输入端与所述电压产生单元的所述第一端，所述辅助单元的另一端耦接于所述电流镜单元的所述第一端；

其中，所述带隙参考电压电路于所述辅助单元的所述另一端输出所述参考电压。

7.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述辅助单元具有与频率无关的阻抗。

8.根据权利要求6所述的电子装置，其特征在于，所述电流镜单元包括：

一第一P型金属氧化物半导体晶体管；以及

一第二P型金属氧化物半导体晶体管；

其中，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极耦接一电源供应端，所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的栅极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的栅极耦接所述运算放大器的所述输出端，且所述第一P型金属氧化物半导体晶体管的源极与所述第二P型金属氧化物半导体晶体管的源极分别耦接所述辅助单元的所述一端与所述第一电阻的所述另一端。