[发明专利]电熔丝结构及其使用方法

权利要求书

1.一种电熔丝结构，包括：

位于半导体衬底上的多晶硅层；

位于所述多晶硅层上的导电层，所述导电层的两端部分别为阴极和阳极；

其特征在于，所述多晶硅层包括掺杂有P型离子的第一区域和掺杂有N型离子的第二区域，所述第一区域与第二区域相邻设置，且导电层的阴极投影位于所述第一区域内，阳极投影位于所述第二区域内；

所述多晶硅层包括位于两头的端部，以及位于两个端部之间的中间部，所述中间部的宽度小于所述端部的宽度；所述第一区域和所述第二区域分别占所述多晶硅层全部区域的一半；所述第一区域和所述第二区域之间形成的PN结位于所述中间部的中间；

所述多晶硅层的厚度为

2.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一区域的P型离子浓度和第二区域的N型离子的掺杂剂量为1.0×10¹³/cm²～1.0×10¹⁵/cm²。

3.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述第一区域的P型离子浓度和第二区域的N型离子浓度为10¹⁹～10²¹/cm³。

4.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述P型离子为B，所述N型离子为As或P。

5.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述导电层还包括位于阴极和阳极之间的中间段，所述阴极和阳极的宽度大于所述中间段的宽度。

6.如权利要求5所述的电熔丝结构，其特征在于，所述中间段的宽度为28～45nm，所述阴极和阳极的宽度为0.1～0.5μm。

7.如权利要求1所述的电熔丝结构，其特征在于，所述导电层为金属硅化物层。

8.如权利要求7所述的电熔丝结构，其特征在于，所述导电层厚度为

9.一种如权利要求1所述电熔丝结构的使用方法，其特征在于，包括：

所述电熔丝结构的第一区域连接电源负极；

所述电熔丝结构的第二区域连接电源正极；

向所述电熔丝结构施加脉冲电压，熔断所述电熔丝，以写入信息；

向所述电熔丝结构施加工作电压，以读取所写入的信息。

10.如权利要求9所述的使用方法，其特征在于，所述脉冲电压为1.5～2.5V。

11.如权利要求10所述的使用方法，其特征在于，持续施加所述脉冲电压的时间小于10秒。