[发明专利]一种碳基多层复合涂层制备方法在审

专利信息
申请号: 201310366767.1 申请日: 2013-08-21
公开(公告)号: CN104419905A 公开(公告)日: 2015-03-18
发明(设计)人: 练友运;刘翔;许增裕;杨发展;金凡亚 申请(专利权)人: 核工业西南物理研究院
主分类号: C23C14/35 分类号: C23C14/35;C23C14/18;C23C14/02
代理公司: 核工业专利中心 11007 代理人: 高尚梅
地址: 610041 *** 国省代码: 四川;51
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基多 复合 涂层 制备 方法
【权利要求书】:

1.一种碳基多层复合涂层制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤,

1)基体预处理

碳基材料作为基体,打磨抛光,清洗之后在100℃烘烤5~10h,然后在真空加热炉中800℃烘烤1~3h除气;

2)将清洗好的工件安装固定,防止脱落;

3)溅射沉积复合涂层,具体方法如下:

a)将钨靶和中间层靶置于直流阴极上;

b)真空抽至1.0×10-3~3.0×10-3Pa后,利用氩气等离子体对工件表面进行轰击清洗和活化,同时对基体进行加热,加热温度100~300℃;

c)对基体表面施加负偏压,利用磁控溅射技术在基体表面沉积中间层,工作气压为0.5~0.8Pa,负偏压-700~-500V,电流为1.5~4A;

d)转动工件,利用磁控溅射技术在中间层上沉积钨涂层,负偏压-900~-800V,电流为4~6A;

形成多层复合涂层时,重复上述步骤步骤c)至步骤d),直到涂层厚度达到目标值。

2.如权利要求1所述的一种碳基多层复合涂层制备方法,其特征在于,制备3层钛/钨复合涂层时,步骤如下:

1)基体预处理

碳基材料作为基体,经砂纸打磨处理,机械抛光,超声波酒精然清洗,然后100℃烘烤10h干燥,真空加热炉中800℃烘烤2h除气;

2)将清洗好的工件安装固定,防止脱落;

3)溅射沉积钛/钨复合涂层,具体方法如下:

a)将钨靶和钛靶置于直流阴极上,钛作为中间层;

b)本底真空抽至1.0×10-3Pa后利用氩气等离子体对工件表面进行轰击清洗和活化,同时对基体进行加热,加热温度100℃;

c)对基体表面施加负偏压,利用磁控溅射技术在基体表面沉积中间层,工作气压为0.5Pa,负偏压-500V,电流为1.5A,第一次钛涂层厚度为2μm;

d)转动工件,利用磁控溅射技术在中间层上沉积钨涂层,负偏压-800V,电流为4A,涂层厚度为2μm;

e)分别重复上述步骤c)至步骤d)2次,形成复合涂层厚度约为12μm。

3.如权利要求1所述的一种碳基多层复合涂层制备方法,其特征在于,制备2层铬/钨复合涂层时,步骤如下:

1)基体预处理

碳基材料作为基体,经砂纸打磨处理,机械抛光,超声波酒精然清洗,然后100℃烘烤8h干燥,真空加热炉中800℃烘烤1h除气;

2)将清洗好的工件安装固定,防止脱落;

3)溅射沉积铬/钨复合涂层,具体方法如下:

a)将钨靶和铬靶置于直流阴极上;

b)本底真空抽至2.0×10-3Pa后,利用氩气等离子体对基体表面进行轰击清洗和活化,同时对工件进行加热,加热温度200℃;

c)对基体表面施加负偏压,利用磁控溅射技术在基体表面沉积中间层,工作气压为0.8Pa,负偏压-500V,电流为1.6A,第一层铬涂层厚度为4μm;

d)转动基体,利用磁控溅射技术在中间层上沉积钨涂层,负偏压-800V,电流为4A,第一层钨涂层厚度为2μm;

e)分别重复上述步骤c)至步骤d)次,工艺参数不变,第二层铬涂层厚度为2μm,第二层钨涂层厚度为5μm;最终复合涂层厚度约为13μm。

4.如权利要求1所述的一种碳基多层复合涂层制备方法,其特征在于,制备1层钼/钨复合涂层时,步骤如下:

1)基体预处理

碳基材料作为基体,经砂纸打磨处理,机械抛光,超声波酒精然清洗,然后100℃烘烤5h干燥,真空加热炉中800℃烘烤3h除气;

2)将清洗好的工件安装固定,防止脱落;

3)溅射沉积铬/钨复合涂层,具体方法如下:

a)将钨靶和钼靶置于直流阴极上;

b)本底真空抽至3.0×10-3Pa后,利用氩气等离子体对基体表面进行轰击清洗和活化,同时对工件进行加热,加热温度300℃;

c)对工件表面施加负偏压,利用磁控溅射技术在基体表面沉积中间层,工作气压为0.5Pa,负偏压-700V,电流为4A,钼涂层厚度为5μm;

d)转动工件,利用磁控溅射技术在中间层上沉积钨涂层,负偏压-900V,电流为6A,钨涂层厚度为7μm;最终复合涂层厚度约为12μm。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于核工业西南物理研究院,未经核工业西南物理研究院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310366767.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top