[发明专利]一种碳基多层复合涂层制备方法在审
申请号: | 201310366767.1 | 申请日: | 2013-08-21 |
公开(公告)号: | CN104419905A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 练友运;刘翔;许增裕;杨发展;金凡亚 | 申请(专利权)人: | 核工业西南物理研究院 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/18;C23C14/02 |
代理公司: | 核工业专利中心 11007 | 代理人: | 高尚梅 |
地址: | 610041 *** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基多 复合 涂层 制备 方法 | ||
1.一种碳基多层复合涂层制备方法,其特征在于,该方法包括如下步骤,
1)基体预处理
碳基材料作为基体,打磨抛光,清洗之后在100℃烘烤5~10h,然后在真空加热炉中800℃烘烤1~3h除气;
2)将清洗好的工件安装固定,防止脱落;
3)溅射沉积复合涂层,具体方法如下:
a)将钨靶和中间层靶置于直流阴极上;
b)真空抽至1.0×10-3~3.0×10-3Pa后,利用氩气等离子体对工件表面进行轰击清洗和活化,同时对基体进行加热,加热温度100~300℃;
c)对基体表面施加负偏压,利用磁控溅射技术在基体表面沉积中间层,工作气压为0.5~0.8Pa,负偏压-700~-500V,电流为1.5~4A;
d)转动工件,利用磁控溅射技术在中间层上沉积钨涂层,负偏压-900~-800V,电流为4~6A;
形成多层复合涂层时,重复上述步骤步骤c)至步骤d),直到涂层厚度达到目标值。
2.如权利要求1所述的一种碳基多层复合涂层制备方法,其特征在于,制备3层钛/钨复合涂层时,步骤如下:
1)基体预处理
碳基材料作为基体,经砂纸打磨处理,机械抛光,超声波酒精然清洗,然后100℃烘烤10h干燥,真空加热炉中800℃烘烤2h除气;
2)将清洗好的工件安装固定,防止脱落;
3)溅射沉积钛/钨复合涂层,具体方法如下:
a)将钨靶和钛靶置于直流阴极上,钛作为中间层;
b)本底真空抽至1.0×10-3Pa后利用氩气等离子体对工件表面进行轰击清洗和活化,同时对基体进行加热,加热温度100℃;
c)对基体表面施加负偏压,利用磁控溅射技术在基体表面沉积中间层,工作气压为0.5Pa,负偏压-500V,电流为1.5A,第一次钛涂层厚度为2μm;
d)转动工件,利用磁控溅射技术在中间层上沉积钨涂层,负偏压-800V,电流为4A,涂层厚度为2μm;
e)分别重复上述步骤c)至步骤d)2次,形成复合涂层厚度约为12μm。
3.如权利要求1所述的一种碳基多层复合涂层制备方法,其特征在于,制备2层铬/钨复合涂层时,步骤如下:
1)基体预处理
碳基材料作为基体,经砂纸打磨处理,机械抛光,超声波酒精然清洗,然后100℃烘烤8h干燥,真空加热炉中800℃烘烤1h除气;
2)将清洗好的工件安装固定,防止脱落;
3)溅射沉积铬/钨复合涂层,具体方法如下:
a)将钨靶和铬靶置于直流阴极上;
b)本底真空抽至2.0×10-3Pa后,利用氩气等离子体对基体表面进行轰击清洗和活化,同时对工件进行加热,加热温度200℃;
c)对基体表面施加负偏压,利用磁控溅射技术在基体表面沉积中间层,工作气压为0.8Pa,负偏压-500V,电流为1.6A,第一层铬涂层厚度为4μm;
d)转动基体,利用磁控溅射技术在中间层上沉积钨涂层,负偏压-800V,电流为4A,第一层钨涂层厚度为2μm;
e)分别重复上述步骤c)至步骤d)次,工艺参数不变,第二层铬涂层厚度为2μm,第二层钨涂层厚度为5μm;最终复合涂层厚度约为13μm。
4.如权利要求1所述的一种碳基多层复合涂层制备方法,其特征在于,制备1层钼/钨复合涂层时,步骤如下:
1)基体预处理
碳基材料作为基体,经砂纸打磨处理,机械抛光,超声波酒精然清洗,然后100℃烘烤5h干燥,真空加热炉中800℃烘烤3h除气;
2)将清洗好的工件安装固定,防止脱落;
3)溅射沉积铬/钨复合涂层,具体方法如下:
a)将钨靶和钼靶置于直流阴极上;
b)本底真空抽至3.0×10-3Pa后,利用氩气等离子体对基体表面进行轰击清洗和活化,同时对工件进行加热,加热温度300℃;
c)对工件表面施加负偏压,利用磁控溅射技术在基体表面沉积中间层,工作气压为0.5Pa,负偏压-700V,电流为4A,钼涂层厚度为5μm;
d)转动工件,利用磁控溅射技术在中间层上沉积钨涂层,负偏压-900V,电流为6A,钨涂层厚度为7μm;最终复合涂层厚度约为12μm。
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