[发明专利]甲基酮肟基甲氧基硅烷的制备方法

权利要求书

1.一种甲基酮肟基甲氧基硅烷的制备方法，其特征在于：所述的制备方法步骤如下：

（1）将丁酮肟、甲醇和120号溶剂油加入到带搅拌的反应釜中，然后向反应釜中滴加甲基三氯硅烷，调节甲基三氯硅烷的滴加速度，控制反应温度在30-60℃；

（2）滴加完毕后，静置分层，上层产物进入第一中和釜，通入氨气进行中和，待pH大于7后停止，然后过滤，分离出氯化铵后，得到甲基酮肟基甲氧基硅烷的半成品，将该半成品进入第一薄膜蒸发器，蒸馏出120号溶剂油，得到甲基酮肟基甲氧基硅烷产品；下层产物进入第二中和釜，向第二中和釜加入120号溶剂油，搅拌混匀，通入氨气进行中和，待pH大于7后停止，然后过滤，分离出氯化铵后，滤液进入第二薄膜蒸发器，蒸馏出120号溶剂油，得到丁酮肟，丁酮肟和120号溶剂油循环利用。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于：步骤（1）中甲基三氯硅烷：丁酮肟： 甲醇的摩尔比为1：（5-5.5）：1。

3.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于：步骤（1）中120号溶剂油的用量为甲基三氯硅烷的1-2倍重量。

4.根据权利要求1或2或3所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中第一中和釜温度控制在70-80℃。

5.根据权利要求1或2或3所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中第二中和釜温度控制在70-100℃。

6.根据权利要求1或2或3所述的制备方法，其特征在于：步骤（2）中第二中和釜中加入的120号溶剂油的用量为步骤（1）甲基三氯硅烷的2-3倍重量。

7.根据权利要求1或2或3所述的制备方法，其特征在于：第一薄膜蒸发器温度控制在100-120℃，真空度控制在-0.098Mpa以上。

8.根据权利要求1或2或3所述的制备方法，其特征在于：第二薄膜蒸发器温度控制在80-90℃，真空度控制在-0.09Mpa以上。