[发明专利]电气接点及其制造方法、电极、真空灭弧室、真空开闭设备有效
申请号: | 201310369363.8 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103681016B | 公开(公告)日: | 2017-04-26 |
发明(设计)人: | 菊池茂;森田歩;土屋贤治;藪雅人;中沢彰男 | 申请(专利权)人: | 株式会社日立产机系统 |
主分类号: | H01H1/025 | 分类号: | H01H1/025;H01H33/664;H01H11/04 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人: | 肖靖 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电气 接点 及其 制造 方法 电极 真空 灭弧室 开闭 设备 | ||
1.一种电气接点,具备Cu母相、和在上述Cu母相中分散的Cu和低融点金属的化合物,其特征在于,
上述低融点金属在1000℃中的蒸气压为105Pa以上,上述化合物的低融点金属/Cu的值即化学当量组成比大于0.5,形成为针状的上述化合物的长度方向相对于接点面以90°±10°的角度取向,上述低融点金属是Se,
对于上述化合物的90体积%以上,上述化合物的宽度方向的长度x为2~15μm,上述化合物的长度方向的长度y和上述宽度方向的长度x之比y/x为2~10,
上述化合物在与接点面平行的任意的面中,以6个/0.01mm2以上的比例分散。
2.根据权利要求1所述的电气接点,其特征在于,
上述化合物的含量为3~10重量%。
3.根据权利要求1所述的电气接点,其特征在于,
上述化合物是Cu3Se2。
4.一种电气接点的制造方法,上述电气接点具备Cu母相、和在上述Cu母相中分散的Cu和低融点金属的化合物,该电气接点的制造方法的特征在于,
上述低融点金属在1000℃中的蒸气压为105Pa以上,上述化合物的低融点金属/Cu的值即化学当量组成比大于0.5,对具有上述Cu母相和上述化合物的混合物以减面率70~85%进行加热的同时进行拉伸,将以上述减面率减面后的面用作电气接点的接点面,上述低融点金属是Se,
对于上述化合物的90体积%以上,上述化合物的宽度方向的长度 x为2~15μm,上述化合物的长度方向的长度y和上述宽度方向的长度x之比y/x为2~10,
上述化合物在与接点面平行的任意的面中,以6个/0.01mm2以上的比例分散。
5.一种电极,其特征在于,具备:
具有在圆中心形成的中心孔、和相对于上述中心孔以非接触方式从圆中心朝向外周部形成的多条贯通的狭缝槽的圆盘;
在上述圆盘的电弧发生面所设置的权利要求1所述的电气接点;以及
在上述圆盘的上述电气接点的相反面一体接合的电极棒。
6.一种真空灭弧室,在真空容器内具备一对固定侧电极及可动侧电极,该真空灭弧室的特征在于,
上述固定侧电极及可动侧电极的至少一方由权利要求5所述的电极组成。
7.一种真空断路设备,该真空断路设备具备:
在真空容器内具有一对固定侧电极及可动侧电极的真空灭弧室;
在上述真空灭弧室外与上述真空灭弧室内的上述固定侧电极以及可动侧电极分别连接的导体端子;以及
驱动上述可动侧电极的开闭单元,
该真空断路设备的特征在于,
上述真空灭弧室由权利要求6所述的真空灭弧室组成。
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