[发明专利]光阻挡元件和包括所述光阻挡元件的显示器面板在审
申请号: | 201310369408.1 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN103811671A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 申铉亿;李大宇;李源必;尹虎镇;朴容佑;崔京敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻挡 元件 包括 显示器 面板 | ||
1.一种光阻挡元件,包含:
金属颗粒和陶瓷材料。
2.根据权利要求1所述的光阻挡元件,其中以混合物或合金的形式包含所述金属颗粒和所述陶瓷材料。
3.根据权利要求1所述的光阻挡元件,其中所述金属颗粒包括银、钼、镍、钛、钽或它们的组合。
4.根据权利要求1所述的光阻挡元件,其中所述金属颗粒具有至的平均粒径。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的光阻挡元件,其中所述陶瓷材料包括氧化铌、氧化钛、氧化铝或它们的组合。
6.根据权利要求1所述的光阻挡元件,其中所述光阻挡元件包含:
以第一用量包含所述金属颗粒并包含所述陶瓷材料的第一层,和
以大于所述第一用量的第二用量包含所述金属颗粒并包含所述陶瓷材料的第二层。
7.根据权利要求6所述的光阻挡元件,其中基于在所述第一层中所述金属颗粒和所述陶瓷材料的总量,所述第一用量包括1at%至15at%的用量,且
基于在所述第二层中所述金属颗粒和所述陶瓷材料的总量,所述第二用量包括10at%至50at%的用量。
8.根据权利要求6所述的光阻挡元件,其中所述第一层具有比所述第二层更高的透光率。
9.根据权利要求6至8中任一项所述的光阻挡元件,其中所述第一层比所述第二层更靠近光入射侧。
10.根据权利要求6所述的光阻挡元件,其中所述第一层具有至的厚度,而所述第二层具有至的厚度。
11.一种显示器件,包含:
根据权利要求1至10中任一项所述的光阻挡元件。
12.根据权利要求11所述的显示器件,其中所述显示器件包含:
第一基板,
置于所述第一基板上的薄膜晶体管,
电连接至所述薄膜晶体管的第一电极,
面向所述第一电极的第二电极,和
置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,
其中所述光阻挡元件置于除了重叠所述第一电极、所述第二电极和所述发光层的区域以外的至少一个区域上。
13.根据权利要求12所述的显示器件,其中所述光阻挡元件位于所述第一基板和所述薄膜晶体管之间。
14.根据权利要求12所述的显示器件,其中所述光阻挡元件位于所述薄膜晶体管和所述第二电极之间。
15.根据权利要求12所述的显示器件,其中所述显示器件进一步包含面向所述第一基板的第二基板,且所述光阻挡元件位于所述第二基板的一侧上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择