[发明专利]光阻挡元件和包括所述光阻挡元件的显示器面板在审
申请号: | 201310369408.1 | 申请日: | 2013-08-16 |
公开(公告)号: | CN103811671A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 申铉亿;李大宇;李源必;尹虎镇;朴容佑;崔京敏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 康泉;王珍仙 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阻挡 元件 包括 显示器 面板 | ||
技术领域
本申请涉及一种光阻挡元件和包括该元件的显示器件。
背景技术
显示器件可以表示图像并包括例如液晶显示器(LCD)、有机发光二极管(OLED)显示器、电泳显示器件等。
在背景技术部分揭示的以上信息仅用于增强对本发明的背景的理解,因此该信息可能含有未构成本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。
发明内容
一个示例性实施方式提供了一种光阻挡元件,所述光阻挡元件防止了在降低显示性能效果的同时由外部光线引起的对显示器性能的损害。
另一个实施方式提供了一种显示器件,所述显示器件可以包括所述光阻挡元件。
根据一个示例性实施方式,提供了一种包括金属颗粒和陶瓷材料的光阻挡元件。
可以混合物或合金的形式包含所述金属颗粒和所述陶瓷材料。
所述金属颗粒可以包括银(Ag)、钼(Mo)、镍(Ni)、钛(Ti)、钽(Ta)或其组合物。
所述金属颗粒可以具有约至约的平均粒径。
所述陶瓷材料可以包括氧化铌、氧化钛、氧化铝或其组合。
所述光阻挡元件可以包括以第一用量包含所述金属颗粒并包含所述陶瓷材料的第一层和以大于所述第一用量的第二用量包含所述金属颗粒并包含所述陶瓷材料的第二层。
基于在所述第一层中所述金属颗粒和所述陶瓷材料的总量,所述第一用量可以为约1at%至约15at%,而基于在所述第二层中所述金属颗粒和所述陶瓷材料的总量,所述第二用量可以为约10at%至约50at%。
所述第一层可以比所述第二层具有更高的透光率。
所述第一层可以比所述第二层更靠近光入射侧。
所述第一层可以具有约至约的厚度,而所述第二层可以具有约至约的厚度。
根据另一个实施方式,提供了一种包括所述光阻挡元件的显示器件。
所述显示器件可以包括第一基板、置于所述第一基板上的薄膜晶体管、电连接至所述薄膜晶体管的第一电极、面向所述第一电极的第二电极和置于所述第一电极和所述第二电极之间的发光层,其中所述光阻挡元件可被置于除了重叠所述第一电极、所述第二电极和所述发光层的区域以外的至少一个区域中。
所述光阻挡元件可位于所述第一基板和所述薄膜晶体管之间。
所述光阻挡元件可位于所述薄膜晶体管和所述第二电极之间。
所述显示器件可以进一步包括面向着所述第一基板的第二基板,且所述光阻挡元件可位于所述第二基板的一侧上。
附图说明
通过结合附图参考以下详细的说明会使对本发明的更全面的理解及其多种附带优点变得显而易见并得到更好的理解,其中相同的参考标号表示相同或相似的组件,其中:
图1为显示了根据一个实施方式的光阻挡元件的示意图。
图2为显示了根据另一个实施方式的光阻挡元件的示意图。
图3为显示了根据一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的示意图。
图4为显示了根据另一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的截面图。
图5为显示了根据又一个实施方式的有机发光二极管(OLED)显示器的截面图。
图6为显示了根据实施例3的光阻挡元件反射率的曲线图。
具体实施方式
参考附图下文将更全面地描述本公开,在附图中显示了本公开的示例性实施方式。然而,本发明的构思可以多种不同的形式体现而不应被解释为受限于本文给出的实施例。在附图中,为清楚起见可以放大各层和各区域的尺寸和相对尺寸。正如本领域的技术人员会认识到的那样,所描述的实施方式可以按各种不同的方式修改,其中所有修改都不背离本公开的精神或范围。
在附图中,为清楚起见放大了各层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中相同的附图标记表示相同的部分。应该理解在提到一个元件如层、膜、区域或基板在另一个元件“上”时,该元件可以直接在其他元件上或者还可以存在中间元件。相反,在提到一个元件“直接在”另一个元件“上”时,不存在中间元件。
应该理解在提到一个元件或层“连接至”或“耦合到”另一个元件或另一层时,该元件或层可以直接连接或耦合到其他元件或层,或者可以存在中间元件或中间层。相反,在提到一个元件或层“直接连接至”或“直接结合到”另一个元件或层时,不存在中间元件或层。相同或相似的附图标记全部指相同或相似的元件。如本文所用的,术语“和/或”包括一种或多种相关的所列项目的任意和所有组合。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择