[发明专利]薄膜晶体管的制作方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管的制作方法；其特征在于：该薄膜晶体管的制作方法包含：

（a）于一个基板上依序以半导体材料、介电材料、导体材料形成一层第一层体、一层第二层体，及一层第三层体；

（b）用一个第一灰阶光罩于该第三层体上形成一由光阻构成的第一图案层，该第一图案层具有一个第一中心部、一个自该第一中心部外围向外延伸且厚度小于该第一中心部厚度的第一翼部，及一个让该第三层体预定表面区域裸露的第一镂空部；

（c）往该基板的方向蚀刻移除该第一层体、第二层体、第三层体对应于该第一镂空部的结构，而定义将形成至少一个晶体管的一个半导体层、一个介电层，及一个导电层；

（d）借该第一图案层的遮覆自该第一图案层的第一中心部和第一翼部向该基板方向剥除直到对应该第一翼部的导电层裸露，再继续蚀刻移除对应该第一翼部的导电层结构，并于对应该第一翼部的半导体层进行掺杂而形成一个第一型掺杂区；及

（e）移除剩余的第一图案层结构，得到一个具有由对应该第一中心部的导电层、介电层和半导体层，及该第一型掺杂区的第一型薄膜晶体管。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤（b）形成的该第一图案层还具有一个与该第一中心部实质等厚度的第一遮覆部，而在该步骤（c）移除对应该第一镂空部的第一层体、第二层体、第三层体后定义一个对应第一中心部及第一翼部的第一型薄膜晶体管的区域，及一个对应该第一遮覆部的第二型薄膜晶体管的区域，且该薄膜晶体管的制作方法还包含：

（f）用一个第二灰阶光罩形成一层由光阻构成的第二图案层，该第二图案层具有一个遮覆该第一型薄膜晶体管的第二遮覆部，及位于该第一遮覆部的一个第二中心部和一个供该第二中心部周围的导电层裸露的第二镂空部，

（g）移除对应该第二镂空部的导电层，并于对应该第二镂空部的半导体层进行掺杂而成一个第二型掺杂区，及

（h）移除剩除的第二图案层结构，则对应该第二中心部的导电层、介电层和半导体层，及该第二型掺杂区成为一个第二型薄膜晶体管。

3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤（b）形成的该第一图案层还具有一个与该第一中心部实质等厚度的第一遮覆部，而在该步骤（c）移除对应该第一镂空部的第一层体、第二层体、第三层体后定义一个对应第一中心部及第一翼部的第一型薄膜晶体管的区域，及一个对应该第一遮覆部的第二型薄膜晶体管的区域，且该薄膜晶体管的制作方法还包含：

（f）用一个第二灰阶光罩形成一层由光阻构成的第二图案层，该第二图案层具有一个遮覆该第一型薄膜晶体管的第二遮覆部，及对应该第一遮覆部的一个第二中心部、一个自该第二中心部外围向外延伸且厚度小于该第二中心部的第二翼部，和一个供该第二中心部周围的导电层裸露的第二镂空部，

（g）移除对应该第二镂空部的导电层，并于对应该第二镂空部的半导体层进行掺杂而成一个第二型掺杂区的外掺杂部，

（h）借该第二图案层的遮覆自该第二图案层的第二中心部和第二翼部向该基板方向剥除直到对应该第二翼部的导电层裸露，再继续蚀刻移除对应该第二翼部的导电层结构，并于对应该第二翼部的半导体层进行掺杂而形成一个第二型掺杂区的低外杂掺部，及

（i）移除剩除的第二图案层结构，则对应该第二中心部的导电层、介电层和半导体层，及该第二型掺杂区成为一第二型薄膜晶体管。

4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤（b）的第一图案层的第一翼部具有一个自该第一中心部外围向外延伸的第一区，及一个自该第一区向外延伸且厚度小于该第一区的第二区，该步骤（d）移除该第一翼部的第二区及对应该第二区的导电层，并于对应该第二区的半导体层进行掺杂而成该第一型掺杂区的外掺杂部，再移除该第一翼部的第一区及对应该第一区的导电层，并于对应该第一区的半导体层进行掺杂而成载子浓度低于该第一型掺杂区的低外杂掺部。

5.根据权利要求1～4其中任一项所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：该薄膜晶体管的制作方法还包含一个步骤（j），该步骤（j）于该晶体管的掺杂区表面以导电材料形成与外界电连接的电极。

6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于：该步骤（a）是于该基板设置一层非晶硅层体，再对该非晶硅层体以选自雷射、炉管、及快速回火的方式进行回火，而形成该第一层体。