[发明专利]存储器的监测装置在审
申请号: | 201310371391.3 | 申请日: | 2013-08-22 |
公开(公告)号: | CN103456370A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 胡剑;杨光军 | 申请(专利权)人: | 上海宏力半导体制造有限公司 |
主分类号: | G11C29/56 | 分类号: | G11C29/56 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴靖靓;骆苏华 |
地址: | 201203 上海市浦东*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储器 监测 装置 | ||
1.一种存储器的监测装置,其特征在于,包括:
电荷泵电路,适于产生所述存储器的操作电压;
分压电路,适于对所述操作电压进行分压以输出分压电压;
存储器测试机台,适于测量并显示所述分压电压的电压值。
2.根据权利要求1所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述操作电压为编程电压或擦除电压。
3.根据权利要求1所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述分压电路包括预定数量串联的PMOS管,第一个PMOS管的源极适于接收所述操作电压,最后一个PMOS管的漏极接地,任意两个相邻PMOS管的连接节点适于输出所述分压电压。
4.根据权利要求3所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述分压电路还包括NMOS管,所述最后一个PMOS管的漏极通过所述NMOS管接地,所述NMOS管适于在所述存储器处于测试模式时导通。
5.根据权利要求1所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述分压电路包括预定数量串联的电阻,第一个电阻的一端适于接收所述操作电压,最后一个电阻的一端接地,任意两个相邻电阻的连接节点适于输出所述分压电压。
6.根据权利要求5所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述分压电路还包括NMOS管,所述最后一个电阻通过所述NMOS管接地,所述NMOS管适于在所述存储器处于测试模式时导通。
7.根据权利要求1所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述存储器测试机台包括:
接收通道,适于接收所述分压电压并测量所述分压电压的电压值;
显示单元,适于显示所述分压电压的电压值。
8.根据权利要求7所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述存储器测试机台还包括:
存储单元,适于保存由所述存储器测试机台输入的第一参考电压和第二参考电压,所述第一参考电压小于所述第二参考电压;
警示单元,适于在所述分压电压小于所述第一参考电压或者大于所述第二参考电压时产生警示信号。
9.根据权利要求8所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述警示信号包括文字信号、图形信号和声音信号中的至少一种。
10.根据权利要求1所述的存储器的监测装置,其特征在于,所述分压电压的电压值为0.6V至2.5V。
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