[发明专利]存储器的监测装置

说明书

技术领域

本发明涉及存储器技术领域，特别涉及一种存储器的监测装置。

背景技术

随着半导体技术的发展，基于低功耗、低成本的设计要求，存储器的电源电压通常比较低，例如2.5V、1.8V等。然而，为了实现存储信息的读写，通常需要远高于电源电压的编程电压和擦除电压，例如8V、11V等。因此，电荷泵电路被广泛应用于存储器中，用于通过较低的电源电压获得较高的编程电压和擦除电压。

为了保证电荷泵电路提供正确的编程电压和擦除电压，在存储器制造工艺的晶圆测试（wafer probe）阶段，需要对存储器的操作电压进行监测。图1是现有的一种存储器的监测装置的结构示意图。参考图1，所述存储器的监测装置包括开关单元11和电源监控单元（PMU，Power Monitor Unit）12。所述开关单元11在存储器处于测试模式（test mode）时，将存储器内部的电荷泵电路输出的操作电压V_EP传输至所述电源监控单元12；所述电源监控单元12适于测量并显示所述操作电压V_EP。

然而，由于所述电源监控单元12价格较贵，因此，使用所述电源监控单元12监测所述电荷泵电路的输出电压V_EP的成本较高。

发明内容

本发明解决的是使用电源监控单元监测存储器操作电压成本高的问题。

为解决上述问题，本发明提供一种存储器的监控装置，所述监控装置包括：电荷泵电路，适于产生所述存储器的操作电压；分压电路，适于对所述操作电压进行分压以输出分压电压；存储器测试机台，适于测量并显示所述分压电压的电压值。

可选的，所述操作电压为编程电压或擦除电压。

可选的，所述分压电路包括预定数量串联的PMOS管，第一个PMOS管的源极适于接收所述操作电压，最后一个PMOS管的漏极接地，任意两个相邻PMOS管的连接节点适于输出所述分压电压。

可选的，所述分压电路还包括NMOS管，所述最后一个PMOS管的漏极通过所述NMOS管接地，所述NMOS管适于在所述存储器处于测试模式时导通。

可选的，所述分压电路包括预定数量串联的电阻，第一个电阻的一端适于接收所述操作电压，最后一个电阻的一端接地，任意两个相邻电阻的连接节点适于输出所述分压电压。

可选的，所述分压电路还包括NMOS管，所述最后一个电阻通过所述NMOS管接地，所述NMOS管适于在所述存储器处于测试模式时导通。

可选的，所述存储器测试机台包括：接收通道，适于接收所述分压电压并测量所述分压电压的电压值；显示单元，适于显示所述分压电压的电压值。

可选的，所述存储器测试机台还包括：存储单元，适于保存由所述存储器测试机台输入的第一参考电压和第二参考电压，所述第一参考电压小于所述第二参考电压；警示单元，适于在所述分压电压小于所述第一参考电压或者大于所述第二参考电压时产生警示信号。

可选的，所述警示信号包括文字信号、图形信号和声音信号中的至少一种。

可选的，所述分压电压的电压值为0.6V至2.5V。

与现有技术相比，本发明的技术方案具有以下优点：

采用分压电路对电荷泵电路产生的存储器的操作电压进行分压，获得电压值较低的分压电压。由于存储器测试机台能够直接接收和测量电压值较低的电压，因此，采用所述存储器测试机台测量所述分压电压。根据测量得到的所述分压电压的电压值和所述分压电路的分压比例，即可获得所述操作电压的电压值，对所述操作电压进行监控。所述存储器测试机台是存储器制造工艺中已有的测量仪器，而不需要额外增加测试芯片，降低了监测存储器操作电压的成本。

本发明的可选方案中，所述分压电路由PMOS管串联构成，所述分压电路的电路面积较小。

本发明的可选方案中，所述分压电路由电阻串联构成，可以任意设置所述分压电路的分压比例。

本发明的可选方案中，所述分压电路还包括NMOS管，所述NMOS管在存储器处于测试模式时导通，使所述分压电路输出分压电压，在存储器处于其他模式时，使所述分压电路不能形成回路，节省了存储器处于其他模式时的功耗。

本发明的可选方案中，所述存储器的测试机台还包括存储单元和警示单元，所述警示单元能够将所述分压电压与所述存储单元中的第一参考电压和第二参考电压进行比较，并在所述分压电压低于所述第一参考电压或者高于所述第二参考电压时发出警示信号，提高了监测效率。

附图说明