[发明专利]半导体发光器件

权利要求书

1.一种半导体发光器件，包括：

发光结构，其包括第一导电半导体层、在所述第一导电半导体层下方的第二导电半导体层、以及在所述第一和第二半导体层之间的有源层；

设置在所述第一导电半导体层下方的垫；

形成在所述第二导电半导体层的上表面的周边部分处的沟道层；

设置在所述第二导电半导体层和所述沟道层上的电极层；

设置在所述电极层上并对应于所述垫的减震构件；和

形成在所述电极层和所述减震构件上的导电支撑构件，

其中所述减震构件形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间，

其中所述沟道层形成在所述电极层和所述第二导电半导体层之间，

其中所述沟道层的内部部分形成在所述发光结构上，所述沟道层的外部部分从所述发光结构的侧壁向外延伸，

其中所述导电支撑构件接触所述电极层和所述减震构件，

其中所述第一导电半导体层是N-型半导体层，所述第二导电半导体层是P-型半导体层。

2.根据权利要求1所述的半导体发光器件，包括在所述电极层和所述化合物半导体层之间的欧姆接触层。

3.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述减震构件形成在所述电极层的第一区域中，并且所述垫形成在所述第一导电半导体层下方对应于所述第一区域处。

4.根据权利要求1所述的半导体发光器件，其中所述减震构件的尺寸大于所述垫的尺寸，

其中所述减震构件的尺寸小于所述电极层的尺寸。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层由金属氧化物或金属氮化物形成。

6.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，其中所述减震构件包括W和Mo中的至少一种。

7.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，其中所述减震构件具有1μm～10μm的厚度。

8.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层由导电层形成。

9.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，其中所述沟道层由绝缘层形成。

10.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，包括从所述沟道层的内部向下延伸并且形成为具有连接至所述第一导电半导体层的一部分的深度的突起。

11.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，还包括包围所述发光结构的周边部分的凹陷，

其中所述凹陷将所述导电支撑构件间隔于所述第二导电半导体层。

12.根据权利要求11所述的半导体发光器件，其中所述沟道层的外部部分暴露于所述凹陷。

13.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，其中所述垫由多个垫形成。

14.根据权利要求13所述的半导体发光器件，其中减震构件由多个减震构件形成。

15.根据权利要求1至4中任一项所述的半导体发光器件，其中所述电极层包括反射电极层、欧姆接触层和粘附层中的至少一种。