[发明专利]半导体发光器件

说明书

本申请是申请日为2009年11月16日、申请号为200910212291.X、发明名称为“半导体发光器件”的中国专利申请的分案申请。

相关申请

根据35U.S.C.119和35U.S.C.365，本申请要求韩国专利申请10-2008-0113227(2008年11月14日提交)的优先权，通过引用将其全部内容并入本文。

技术领域

本发明实施方案涉及半导体发光器件。

背景技术

III-V族氮化物半导体由于其物理和化学特性而作为发光二极管(LED)或激光二极管(LD)的芯材料得到关注。III-V族氮化物半导体主要包括组成通式为In_xAl_yGa_1-x-yN(0≤x≤1，0≤y≤1，0≤x+y≤1)的半导体材料。

LED是一种半导体器件，其利用化合物半导体的特性通过将电转化为红外线或光来传输/接收信号并且用作光源。

采用这种氮化物半导体的LED和LD主要用于发光器件以获得光，并已经作为光源应用于各种设备(例如，便携式电话的键盘、电布告板、照明装置的发光部件)。

发明内容

本发明实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在对应于垫的位置处提供的减震构件。

本发明实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在对应于垫的多个化合物半导体层上提供的减震构件。

本发明实施方案提供一种半导体发光器件，其包括在多个化合物半导体层上提供的减震构件和在所述化合物半导体层的周边部分下方的沟道层。一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；和设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。

一个实施方案提供一种半导体发光器件，包括：包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层的多个化合物半导体层；在第一导电半导体层的周边部分的透明沟道层；在所述多个化合物半导体层下方的垫；在所述多个化合物半导体层上的电极层；在所述电极层上的导电支撑构件；和对应于所述垫并形成在电极层和导电支撑构件之间的减震构件。

在附图和以下说明中阐述了一个或多个实施方案的细节。通过说明书和附图以及通过权利要求将使其它特征变得显而易见。

本发明还涉及以下实施方案。

1.一种半导体发光器件，包括：

多个化合物半导体层，其包括第一导电半导体层、有源层和第二导电半导体层；

在所述多个化合物半导体层下方的垫；

在所述多个化合物半导体层上的电极层；和

设置在所述多个化合物半导体层上并对应于所述垫的减震构件。

2.根据1所述的半导体发光器件，其中所述电极层形成在所述减震构件和所述多个化合物半导体层之间。

3.根据1所述的半导体发光器件，还包括在所述电极层上的导电支撑构件，其中所述减震构件形成在所述电极层和所述导电支撑构件之间。

4.根据1所述的半导体发光器件，包括在所述电极层的周边部分处形成的沟道层。

5.根据4所述的半导体发光器件，其中所述沟道层由金属氧化物或金属氮化物形成。

6.根据1所述的半导体发光器件，其中所述减震构件包括W和Mo中的至少一种。

7.根据1所述的半导体发光器件，其中所述减震构件通过使用具有高熔点的金属材料形成为约1μm～约10μm的厚度。

8.根据4所述的半导体发光器件，其中所述沟道层形成在所述电极层和所述多个化合物半导体层之间。

9.根据8所述的半导体发光器件，其中所述沟道层包括选自SiO₂、SiO_x、SiO_xN_y、Si₃N₄、Al₂O₃、TiO₂、ITO、IZO、IZTO、IAZO、IGZO、IGTO、AZO、ATO、GZO、IrO_x、RuO_x、RuO_x/ITO、Ni／IrO_x／Au和Ni／IrO_x／Au／ITO中的至少一种。