[发明专利]半导体堆叠

说明书

技术领域

本发明涉及用于进行逻辑操作的半导体堆叠，其具有存储与逻辑操作相关联的和/或在逻辑操作中涉及的信息的能力。

背景技术

为了进行逻辑操作，公知地使用在电子电路中互相连接的多个各种电子器件、诸如例如电子晶体管。为了进行给定的逻辑操作，使用在预定电子电路中的给定的一组电子器件。为了可以进行不同的逻辑操作，可以在集成电路和/或半导体器件中嵌入为给定的逻辑操作的性能而经由其组成的一组给定的电子器件来预定义和/或分配的每个电子电路。

与使用上述集成电路和/或半导体器件进行逻辑操作相关联的问题可能是有限的灵活性和/或多用性，因为给定的逻辑操作仅可以由如下电子电路进行：该电子电路包括为该人物的性能而预定义的给定的一组电子器件，且该电子电路不可与被配置为或有能力进行逻辑操作的其他电子电路互换且/或在其他电子电路期间互换。另外的相关问题可以是：因为要预留特定量的空间来用于电子电路的集成，每个电子电路被预定义以进行给定逻辑操作，因此可以相对地减少使用这种电子电路来进行逻辑操作的集成电路/器件的密度。

在已知的逻辑器件和/或应用中，逻辑函数基于作为诸如例如电荷的非易失性的信息。关于此，从存储装置获得表示逻辑输入的信息，对逻辑输入进行给定的逻辑操作，且另外存储逻辑操作的结果、逻辑输出。要关于逻辑操作中涉及的/与逻辑操作相关的信息提供的，即逻辑输入和逻辑输出，是进行用于获得逻辑输入和存储逻辑输出的资源和空间和用于存储这种信息的空间/存储器的步骤。US7186998B2公开多端子逻辑设备，其包括与三个或更多电端子处于电通信的具有结晶和非结晶状态的相变材料。相变材料能够响应于施加的电能量，来经历在非结晶和结晶状态之间的可逆转换，其中该非结晶和结晶状态示出可测量地不同的电阻。以在一对端子之间施加的电流或电压脉冲的形式的电能量影响这些端子之间的结构状态和测量的电阻。在该文档中公开的设备中，在不同的几对端子之间提供独立的输入信号，且测量该输出作为另一对端子之间的电阻。通过施加的输入信号和测量的输出电阻之间的关系来实现逻辑函数，其中，通过输入信号对结构状态的影响和相变材料的电阻来管掌控该关系。逻辑值可以与相变材料的结晶和非结晶状态或一对端子之间的测量的电阻相关联的。US7186998B2公开一种操作相变存储器单元、由此实现给定的逻辑函数的方法。公开的相变存储器单元具有三个端子，由此可以使用两个不同的端子对上施加的各个输入信号来在相变材料中建立结晶或非结晶状态，具有可彼此识别的且可以用于表示给定的逻辑函数的必要输入的对应电阻。在第三对端子之间测量的输出电阻对应于逻辑函数的输出。

US2011/0096594A1公开用于读取缓和电阻漂移的相变存储器的技术。一种构思的方法包括向存储器单元施加多个电输入信号。该方法包括测量来源于多个电输入信号的来自存储器单元的多个电输出信号。该方法包括计算取决于存储器单元中的非结晶材料的配置的多个电输出信号的不变分量。该方法还包括基于该不变分量来确定存储器单元的存储器状态。在该文档中公开的本发明的一个实施例中，该方法还包括将多个电输出信号映射到多个测量区域中的一个测量区域。这些测量区域对应于存储器单元的存储器状态。

发明内容