[发明专利]半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法有效
申请号: | 201310375764.4 | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN103715117B | 公开(公告)日: | 2016-11-16 |
发明(设计)人: | 杉沢佳史 | 申请(专利权)人: | 株式会社东芝 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人: | 陈海红;段承恩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 以及 方法 | ||
相关申请
本申请以日本专利申请2012-218800号(申请日:2012年9月28日)以及日本专利申请2013-94679号(申请日:2013年4月26日)为申请基础,享有优先权。本申请通过参照这些基础申请而包含基础申请的全部内容。
技术领域
本发明涉及半导体装置的制造装置以及半导体装置的制造方法。
背景技术
在晶片的一面形成有多个半导体装置的电路。在晶片的另一面形成有粘接剂层。
有下述半导体装置的制造方法:在利用切割刀片材(dicing blade)将晶片分割成单个半导体芯片时,将粘接剂层也和晶片一并从半导体晶片侧分割。该制造方法能够缩小半导体芯片与粘接剂层的错位(位置偏移)。
另一方面,有通称为先切割的半导体装置的制造方法:在将晶片分割成单个半导体芯片时,利用切割刀片材在晶片上形成槽,之后从晶片的没有形成电路的背面进行磨削直至到达槽的厚度为止。该制造方法能够减小半导体芯片的厚度。
在先切割中,因为在背面磨削时将晶片分割成半导体芯片,所以无法预先在晶片背面设置粘接剂层。因为无法组合上述的两个制造方向,所以难以减小粘接剂层相对于厚度薄的半导体芯片的错位。
发明内容
发明要解决的课题
本发明提供能够减小粘接剂层相对于厚度薄的半导体芯片的错位的半导体装置的制造装置、半导体装置的制造方法。
用于解决课题的技术方案
一个实施方式涉及的半导体装置的制造装置,其特征在于,具备:供给部,其用于供给卷绕成滚筒状的片材;和贴附部,其在从所述供给部的卷绕成滚筒状的所述片材被拉出的部分贴附晶片,在所述片材的位于所述晶片周围的空白部分贴附用于拉伸所述片材的环,所述片材具有基基材和粘接剂层,所述贴附部进行贴附,使得以在所述晶片上设置的方向识别部为基准的方向和滚筒状所述片材的拉出方向所成的角成为15~75度。
一个实施方式涉及的半导体装置的制造方法,从卷绕成滚筒状的片材中拉出所述片材;在所述片材的被拉出的部分贴附设有多个半导体芯片的晶片,在所述片材的位于所述晶片周围的空白部分贴附环;通过将所述晶片置于载物台上,沿所述晶片的贴附于所述片材的面方向增大所述载物台与所述环的距离,由此将所述片材的粘接剂层分离成与所述半导体芯片相应的形状;与所述粘接剂层一并将各个所述半导体芯片从所述片材剥离,该半导体装置的制造方法的特征在于,所述片材具有基材、在所述基材上设置的剥离促进层和在剥离促进层上设置的粘接剂层。
附图说明
图1是表示半导体装置的制造方法的流程图。
图2是表示半导体装置的制造过程的立体图。
图3是表示半导体装置的制造过程的立体图。
图4是表示半导体装置的制造过程的立体图。
图5是表示半导体装置的制造过程的立体图。
图6是表示半导体装置的制造过程的立体图。
图7是表示半导体装置的制造过程的立体图。
图8是表示半导体装置的制造过程的剖视图。
图9是表示导体装置的制造过程的立体图。
图10是表示半导体装置的制造过程的剖视图。
图11是表示半导体装置的制造过程的立体图。
图12是表示制造装置的图。
图13是表示供给部件的截面结构图。
图14是表示供给部件的制造过程的图。
图15是表示制造装置的图。
图16是表示制造装置的图。
图17是表示制造装置的图。
图18是供给部件的伸长率与拉伸强度的关系图。
图19是距离与角度的关系图
附图标记说明
100…晶片、101…刀片材、102…槽、103…保护片材、104…磨削工具、105…DAF、106…带、107…环、108…基材、109…剥离促进层、110…载物台、111…芯片材、112…框架、113…供给部件、114…拉出方向、115…载置部、116…方向识别部、117…高弹性模量带、201…供给部、202…贴附部、203…回收部、204…支撑部
具体实施方式
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造