[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置在审
申请号: | 201310376220.X | 申请日: | 2013-08-26 |
公开(公告)号: | CN103454817A | 公开(公告)日: | 2013-12-18 |
发明(设计)人: | 严允晟 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | G02F1/1343 | 分类号: | G02F1/1343;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京中博世达专利商标代理有限公司 11274 | 代理人: | 申健 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,包括衬底基板,其特征在于,还包括:
位于所述衬底基板上方的第一公共电极、第二公共电极和像素电极,所述像素电极与所述第一公共电极、所述第二公共电极绝缘,所述第一公共电极和所述第二公共电极的电位相等。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,
所述像素电极位于所述第一公共电极和所述第二公共电极之间,所述第一公共电极和所述像素电极之间形成有第一绝缘层,所述像素电极和所述第二公共电极之间形成有第二绝缘层。
3.根据权利要求2所述的阵列基板,其特征在于,
所述第一绝缘层和所述第二绝缘层形成有第一过孔,所述第一过孔位于所述阵列基板的数据线的上方,所述第二公共电极通过所述第一过孔与所述第一公共电极电连接。
4.根据权利要求3所述的阵列基板,其特征在于,所述第一公共电极为狭缝电极或平板电极,所述第二公共电极为狭缝电极。
5.根据权利要求1-4任一项所述的阵列基板,其特征在于,还包括自下而上位于所述衬底基板和所述第一公共电极之间的栅极绝缘层、数据线、第三绝缘层。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,
还包括位于所述数据线和所述第三绝缘层之间的树脂层。
7.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成第一公共电极、第二公共电极和像素电极,其中,所述第一公共电极和所述第二公共电极与所述像素电极绝缘,所述第一公共电极和所述第二公共电极的电位相等。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在衬底基板上形成第一公共电极、第二公共电极和像素电极包括:
在所述衬底基板上形成包括所述第一公共电极的图形;
在所述第一公共电极的图形上形成包括第一绝缘层的图形;
在所述第一绝缘层的图形上形成包括所述像素电极的图形;
在所述像素电极的图形上形成包括所述第二绝缘层的图形;
在所述第二绝缘层的图形上形成包括所述第二公共电极的图形。
10.根据权利要求9所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述在所述像素电极的图形上形成包括所述第二绝缘层的图形包括:
在所述像素电极的图形上形成包括所述第二绝缘层的图形,所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上形成有过孔,以使得所述第二公共电极通过所述过孔与所述第一公共电极电连接。
11.根据权利要求10所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,所述第一公共电极为狭缝电极或板状电极,所述第二公共电极为狭缝电极。
12.根据权利要求8-11任一项所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述在衬底基板上形成像素电极、以及与所述像素电极绝缘的第一公共电极和第二公共电极之前,还包括:
在所述衬底基板上形成包括栅极绝缘层的图形;
在所述栅极绝缘层的图形上形成包括数据线的图形;
在所述数据线的图形上形成第三绝缘层。
13.根据权利要求12所述的阵列基板的制备方法,其特征在于,在所述数据线的图形上形成第三绝缘层包括:
在所述数据线的图形上形成树脂层;
在所述树脂层上形成第三绝缘层。
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