[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制作方法、显示装置。

背景技术

薄膜晶体管液晶显示器（Thin Film Transistor Liquid Crystal Display，简称TFT-LCD）具有体积小、功耗低、无辐射等优点，在平板显示领域中占据了主导地位。

LCD根据电场形式的不同可分为多种类型，其中，高级超维场转换（Advanced Super Dimension Switch，简称ADS）模式的TFT-LCD具有宽视角、高开口率、高透过率等优点而被广泛的应用。ADS模式是平面电场宽视角核心技术，其核心技术特性描述为：通过同一平面内狭缝电极边缘所产生的电场以及狭缝电极层与板状电极层间产生的电场形成多维电场，使液晶盒内狭缝电极间、电极正上方所有取向液晶分子都能够产生旋转。ADS模式的开关技术可以提高TFT-LCD产品的画面品质，具有高分辨率、高透过率、低功耗、宽视角、高开口率、低色差、无挤压水波纹等优点。

发明人在实现本发明的过程中发现，随着人们对TFT-LCD的分辨率的要求越来越高，ADS型TFT-LCD内的像素电极的尺寸往往越来越小，导致ADS型TFT-LCD对液晶的驱动能力也变弱，同时增加了ADS型TFT-LCD出现闪烁现象的可能性，降低了用户的使用体验度。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于提供一种阵列基板及其制作方法、显示装置，能够在保证高分辨率的前提下，提高显示装置对液晶的驱动能力。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种阵列基板，包括衬底基板，还包括：

位于所述衬底基板上方的第一公共电极、第二公共电极和像素电极，所述像素电极与所述第一公共电极、所述第二公共电极绝缘，所述第一公共电极和所述第二公共电极的电位相等。

所述像素电极位于所述第一公共电极和所述第二公共电极之间，所述第一公共电极和所述像素电极之间形成有第一绝缘层，所述像素电极和所述第二公共电极之间形成有第二绝缘层。

所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上形成有过孔，所述第一过孔位于所述阵列基板的数据线的上方，所述第二公共电极通过所述过孔与所述第一公共电极电连接。

所述第一公共电极为狭缝电极或平板电极，所述第二公共电极为狭缝电极。

所述阵列基板自下而上位于所述衬底基板和所述第一公共电极之间的栅极绝缘层、数据线、第三绝缘层。

在本实施例的技术方案中，提供了一种阵列基板，其中，位于所述衬底基板上的像素电极、第一公共电极和第二公共电极，所述像素电极与所述第一公共电极、所述第二公共电极绝缘，所述第一公共电极和所述第二公共电极的电位相等，分别与像素电极存储电容，增大了阵列基板提供稳定有效的电场的能力，保证在缩小像素电极尺寸以提高分辨率的同时，减小了闪烁现象出现的可能性，提高了用户的使用体验。

本发明的第二方面提供了一种显示装置，包括上述的阵列基板。

本发明的第三方面提供了一种阵列基板的制备方法，包括：

在衬底基板上形成第一公共电极、第二公共电极和像素电极，其中，所述第一公共电极和所述第二公共电极与所述像素电极绝缘，所述第一公共电极和所述第二公共电极的电位相等。

所述在衬底基板上形成第一公共电极、第二公共电极和像素电极包括：

在所述衬底基板上形成包括所述第一公共电极的图形；

在所述第一公共电极的图形上形成包括第一绝缘层的图形；

在所述第一绝缘层的图形上形成包括所述像素电极的图形；

在所述像素电极的图形上形成包括所述第二绝缘层的图形；

在所述第二绝缘层的图形上形成包括所述第二公共电极的图形。

所述在所述像素电极的图形上形成包括所述第二绝缘层的图形包括：

在所述像素电极的图形上形成包括所述第二绝缘层的图形，所述第一绝缘层和所述第二绝缘层上形成有过孔，以使得所述第二公共电极通过所述过孔与所述第一公共电极电连接。

所述第一公共电极为狭缝电极或板状电极，所述第二公共电极为狭缝电极。

在所述在衬底基板上形成像素电极、以及与所述像素电极绝缘的第一公共电极和第二公共电极之前，还包括：

在所述衬底基板上形成包括栅极绝缘层的图形；

在所述栅极绝缘层的图形上形成包括数据线的图形；

在所述数据线的图形上形成第三绝缘层。

在所述数据线的图形上形成第三绝缘层包括：