[发明专利]一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜及其制备方法及应用

权利要求书

1.一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下具体步骤：

将预处理的表面荷负电的基膜浸入含0.01mol/mL～0.1mol/mL可溶性钙盐的1.0～8.0g/L阳离子聚电解质溶液中，10～30min后，取出，用去离子水冲洗干净，再浸入含有0.01mol/mL～0.1mol/mL可溶性硅酸盐的1.0～8.0g/L阴离子聚电解质溶液中，10～30min后，取出，用去离子水充分洗净；重复上述操作1-3次，得到聚电解质纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜。

2.按照权利要求1的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，所述的基膜为高分子基膜、或玻璃、或石英基片。

3.按照权利要求2的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，所述的高分子基膜为聚丙烯腈超滤膜、或醋酸纤维素超滤膜、或聚砜超滤膜。

4.按照权利要求2的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，以高分子聚合物为基膜时的预处理为：用去离子水洗涤基膜或者用0.5～4.0mol/L碱性溶液对高分子聚合物基膜处理0.5～2h，使其表面荷负电，然后用去离子水洗涤至中性；

以玻璃或石英基片为基膜时，先用乙醇/氯仿的混合物去除表面有机物，再经过酸洗、碱洗过程，使其表面荷负电荷；其中酸洗过程是：用70～100℃的体积比为7:3的98wt%H₂SO₄、与30wt%H₂O₂的混合水溶液浸泡15～60分钟，用去离子水清洗干净；碱洗过程为：用体积比为1:1:5的浓氨水/双氧水/水的混合溶液中浸泡5-20分钟，然后用去离子水洗至中性。

5.按照权利要求1的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，所述的阳离子聚电解质选自聚乙烯亚胺(PEI)、聚二乙烯丙基氯化铵(PDDA)、聚乙烯基胺(PVA)或阳离子型壳聚糖中的一种或几种。

6.按照权利要求1的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，所述的阴离子聚电解质包括聚苯乙烯磺酸钠(PSS)、聚丙烯酸钠(PAANa)、木质素磺酸钠(SL)中的一种或几种。

7.按照权利要求1的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，所述的可溶性钙盐选自乙酸钙、氯化钙、硝酸钙中的一种或几种。

8.按照权利要求1的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜的制备方法，其特征在于，所述的可溶性硅酸盐为硅酸钠。

9.按照权利要求1-8的任一方法所制备的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜。

10.按照权利要求1-8的任一方法所制备的一种纳米水化硅酸钙超亲水性薄膜用于防雾。