[发明专利]非易失性半导体存储器元件

权利要求书

1.一种非易失性半导体存储器元件，包含：

一存储器阵列，包含多个存储器单元和电性连接至这些存储器单元的多条位线；

一步阶电压产生器，用以产生至少以两步阶方式变化的一步阶电压；以及

一解码和电平转换电路，用以选择这些位线中的其中一条，以将该步阶电压作为编程电压而施加至所选择的位线上；

其中该步阶电压产生器包含：

一反相器，用以反相一电平切换信号以输出一反相信号；

一第一晶体管，具有一源极以接收一第一电压源和一栅极以接收该反相信号；

一第二晶体管，具有一源极以接收一第二电压源、一栅极以接收该电平切换信号和一漏极以电性连接至该第一晶体管的一漏极；

一电平移位器，用以接收来自该第一晶体管的该漏极的电压作为电源供应电压，以产生一电平移位信号；以及

一第三晶体管，具有一漏极以接收该第一电压源、一栅极以接收该电平移位信号和一源极以产生该步阶电压；

其中，该步阶电压产生器响应于该电平切换信号而产生该步阶电压。

2.根据权利要求1的非易失性半导体存储器元件，其中该步阶电压产生器用以产生至少以两步阶方式上升的该步阶电压。

3.根据权利要求1的非易失性半导体存储器元件，其中该步阶电压产生器用以产生至少以两步阶方式下降的该步阶电压。

4.根据权利要求1的非易失性半导体存储器元件，其中该解码和电平转换电路依序地选择这些位线中的其中一条，且施加至相邻位线的这些编程电压电压彼此重迭。

5.根据权利要求1的非易失性半导体存储器元件，其中该解码和电平转换电路依序地选择这些位线中的其中一条，且施加至相邻位线的这些编程电压不会重迭。

6.根据权利要求1的非易失性半导体存储器元件，其中该第二电压源的电平高于该第一电压源的电平，该解码和电平转换电路依序地选择这些位线中的其中一条，且施加至相邻位线的这些编程电压电压彼此重迭。

7.根据权利要求1的非易失性半导体存储器元件，其中该第二电压源的电平高于该第一电压源的电平，该解码和电平转换电路依序地选择这些位线中的其中一条，且施加至相邻位线的这些编程电压电压不会重迭。

8.根据权利要求1的非易失性半导体存储器元件，其中该第一电压源的电平高于该第二电压源的电平，该解码和电平转换电路依序地选择这些位线中的其中一条，且施加至相邻位线的这些编程电压电压彼此重迭。

9.根据权利要求1的非易失性半导体存储器元件，其中该第一电压源的电平高于该第二电压源的电平，该解码和电平转换电路依序地选择这些位线中的其中一条，且施加至相邻位线的这些编程电压电压不会重迭。