[发明专利]激光束热处理设备及其控制方法在审
申请号: | 201310378997.X | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN104064459A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 秋秉权;朴喆镐;孙希根;金度烨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/268 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光束 热处理 设备 及其 控制 方法 | ||
1.一种激光束热处理设备,包括:
衬底支承件,被配置为支承衬底,在所述衬底上形成有硅层;
激光束辐照器,被配置为将激光束辐照在所述硅层上;
摄影单元,被配置为获取与所述衬底的至少一部分有关的数据;以及
位置调整器,被配置为基于由所述摄影单元获得的数据调整所述衬底支承件或所述激光束辐照器中的至少一个的位置。
2.如权利要求1所述的设备,其中,所述衬底的至少一部分包括:
边界,位于所述硅层的被所述激光束辐照器辐照激光束的区域与所述硅层的未被辐照的区域之间;以及
标记,位于所述衬底上。
3.如权利要求2所述的设备,还包括控制器,所述控制器被配置为获取由所述摄影单元获得的数据并向所述位置调整器传输位置调整信息,其中,所述位置调整信息与所述标记与所述边界之间的距离有关。
4.如权利要求3所述的设备,其中,所述控制器被配置为通过使用亮度数据获取关于所述标记与所述边界之间的距离的信息。
5.如权利要求3所述的设备,其中,所述控制器被配置为将所述标记与所述边界之间的距离与参考距离进行比较并向所述位置调整器传输所述位置调整信息。
6.如权利要求5所述的设备,其中,由所述控制器传输的位置调整信息包括所述参考距离与所述标记与所述边界之间的距离之差。
7.如权利要求5所述的设备,其中,所述位置调整器被配置为将所述衬底支承件或所述激光束辐照器中的至少一个的位置调整所述参考距离和所述标记与所述边界之间的距离之差。
8.如权利要求3所述的设备,其中,与所述距离有关的位置调整信息包括所述标记与位于从所述标记开始一方向上的边界之间的第一距离的信息、以及所述标记与位于从所述标记开始另一方向上的边界之间的第二距离的信息,以及
其中,所述控制器被配置为将所述第一距离与所述第二距离进行比较并将所述位置调整信息传输至所述位置调整器。
9.如权利要求8所述的设备,其中,由所述控制器所传输的所述位置调整信息包括所述第一距离与所述第二距离之差的一半。
10.如权利要求8所述的设备,其中,所述位置调整器被配置为将所述衬底支承件或所述激光束辐照器中的至少一个的位置调整所述第一距离与所述第二距离之差的一半。
11.如权利要求1所述的设备,其中,所述衬底的所述至少一部分包括分开地形成在所述衬底上的第一标记和第二标记、以及相邻于所述第一标记的第一部分以及相邻于所述第二标记的第二部分,其中,所述第一部分和所述第二部分位于所述硅层的被所述激光束辐照器辐照激光束的区域与所述硅层的未被辐照的区域之间的边界处。
12.如权利要求11所述的设备,其中,所述第二部分与所述第二标记相邻,并且位于与从所述第一标记到所述第一部分的方向相同的方向上。
13.如权利要求12所述的设备,还包括控制器,所述控制器被配置为获取由所述摄影单元获得的数据并向所述位置调整器传输位置调整信息,其中,所述位置调整信息与所述第一标记与所述第一部分之间的第一距离以及所述第二标记与所述第二部分之间的第二距离有关。
14.如权利要求13所述的设备,其中,所述控制器被配置为通过使用亮度数据获取与所述第一距离和所述第二距离有关的信息。
15.如权利要求13所述的设备,其中,所述控制器被配置为将所述第一距离与所述第二距离进行比较并向所述位置调整器传输所述位置调整信息。
16.如权利要求15所述的设备,其中,由所述控制器传输的位置调整信息包括所述第一标记和所述第二标记之间的距离与所示第一距离和所述第二距离之差的比。
17.如权利要求16所述的设备,其中,所述位置调整器被配置为根据所述比调整所述衬底支承件或所述激光束辐照器中的至少一个的位置。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造