[发明专利]激光束热处理设备及其控制方法在审
申请号: | 201310378997.X | 申请日: | 2013-08-27 |
公开(公告)号: | CN104064459A | 公开(公告)日: | 2014-09-24 |
发明(设计)人: | 秋秉权;朴喆镐;孙希根;金度烨 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L21/324 | 分类号: | H01L21/324;H01L21/268 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 余朦;杨莘 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 激光束 热处理 设备 及其 控制 方法 | ||
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年3月18日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0028818号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请通过引用整体并入本文。
技术领域
本发明的实施方式涉及激光束热处理设备及控制该激光束热处理设备的方法。
背景技术
通常,在有机发光显示器或液晶显示器的情况中,每个像素是否发光或者每个像素发射多强的光均通过使用薄膜晶体管来控制。薄膜晶体管包括半导体层、栅电极以及源/漏电极。对于半导体层,通常使用通过使非晶硅结晶而形成的多晶硅。
在制造包括薄膜晶体管的薄膜晶体管衬底或者制造使用该薄膜晶体管衬底的显示设备的过程中,非晶硅层可形成在衬底的整个表面上,结晶成多晶硅层,并且多晶硅层可被构图以保留薄膜晶体管所处的部分,从而制造薄膜晶体管衬底或者包括该薄膜晶体管衬底的显示设备。
然而,在如上所述的一般过程中,为了将非晶硅层结晶成多晶硅,花费了较大成本和/或大量时间,其过程也可能复杂。
发明内容
本发明的实施方式的方面涉及能够对非晶硅的一部分(例如,预设部分)精确地进行热处理的激光束热处理设备以及控制该激光束热处理设备的方法。
根据本发明的实施方式,提供了一种激光束热处理设备,其包括衬底支承件、激光束辐照器、摄影单元以及位置调整器,其中衬底支承件被配置为支承形成有硅层的衬底,激光束辐照器被配置为将激光束辐照在硅层上,摄影单元被配置为获取与衬底的至少一部分有关的数据,位置调整器被配置为基于由摄影单元获得的数据调整衬底支承件或激光束辐照器中的至少一个的位置。
衬底的至少一部分可包括:位于硅层的被激光束辐照器辐照激光束的区域与硅层的未被辐照的区域之间的边界;以及位于衬底上的标记。
该设备还可包括控制器,控制器被配置为获取由摄影单元获得的数据并向位置调整器传输位置调整信息,其中,位置调整信息与标记与边界之间的距离有关。
控制器可被配置为通过使用亮度数据获取关于标记与边界之间的距离的信息。
控制器可被配置为将标记与边界之间的距离与参考距离进行比较并向位置调整器传输位置调整信息。
由控制器传输的位置信息可包括参考距离和标记与边界之间的距离之差。
位置调整器可被配置为将衬底支承件或激光束辐照器中的至少一个的位置调整参考距离和标记与边界之间的距离之差。
与距离有关的信息可包括标记与位于从标记的第一方向上的边界之间的第一距离的信息、以及标记与位于从标记的第二方向上的边界之间的第二距离的信息,其中,控制器被配置为将第一距离与第二距离进行比较并将位置调整信息传输至位置调整器。
由控制器所传输的位置信息可包括第一距离与第二距离之差的一半。
位置调整器可被配置为将衬底支承件或激光束辐照器中的至少一个的位置调整第一距离与第二距离之差的一半。
衬底的至少一部分可包括分开地形成在衬底上的第一标记和第二标记、相邻于第一标记的第一部分以及相邻于第二标记的第二部分,其中,第一部分和第二部分位于硅层的被激光束辐照器辐照激光束的区域与硅层的未被辐照的区域之间的边界处。
第二部分可与第二标记相邻,并且处于与从第一标记到第一部分的方向相同的方向上。
该设备还可包括控制器,控制器被配置为获取由摄影单元获得的数据并向位置调整器传输位置调整信息,其中,位置调整信息与第一标记与第一部分之间的第一距离以及第二标记与第二部分之间的第二距离有关。
控制器可被配置为通过使用亮度数据获取与第一距离和第二距离有关的信息。
控制器可被配置为将第一距离与第二距离进行比较并向位置调整器传输位置调整信息。
由控制器传输的位置信息可包括第一标记和第二标记之间的距离与所示第一距离和第二距离之差的比。
位置调整器可被配置为根据该比调整衬底支承件或激光束辐照器中的至少一个的位置。
摄影单元可包括第一摄影单元和第二摄影单元,第一摄影单元被配置为获取与包括第一标记和第一部分的区域有关的数据,第二摄影单元被配置为获取与包括第二标记和第二部分的区域有关的数据。
激光束可在入射至硅层的情况下形成沿一方向延伸的入射区域。
激光束辐照器可被配置为将激光束辐照在硅层上的彼此隔开的多个区域上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造