[发明专利]发光装置及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201310381486.3 申请日: 2013-08-28
公开(公告)号: CN103682038A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 山田孝夫;梅宅郁子;铃木亮 申请(专利权)人: 日亚化学工业株式会社
主分类号: H01L33/48 分类号: H01L33/48;H01L33/62
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 樊建中
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 发光 装置 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种发光装置的制造方法,该发光装置将发光元件倒装式安装于支撑体,所述发光装置的制造方法包括:

工序(a),准备构造体,该构造体具有:基板、形成在基板上的半导体层、形成在该半导体层上的p侧电极以及n侧电极;

工序(b),准备在同一面上具有p侧布线以及n侧布线的支撑体;

工序(c),使用包含导电性粒子以及第一树脂的各向异性导电材料,将所述构造体的p侧电极以及n侧电极和所述支撑体的p侧布线以及n侧布线分别电连接;和

工序(d),从所述构造体去除所述基板,形成发光元件。

2.根据权利要求1所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(c)中,所述各向异性导电材料充满所述构造体和所述支撑体之间的空间。

3.根据权利要求2所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(c)中,所述各向异性导电材料至少部分地与所述基板的侧面相接触。

4.根据权利要求1~3中任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(d)中,通过透过该基板的波长的激光照射来实施所述基板的去除。

5.根据权利要求1~4中任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(c)后,还包括:

工序(p),按照包围所述构造体的周围的方式,在所述各向异性导电材料上形成具有比该各向异性导电材料高的反射率的光反射体。

6.根据权利要求5所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(d)之前实施工序(p)。

7.根据权利要求5或6所述的发光装置的制造方法,其中,

所述光反射体是从由使光反射性粒子分散于硅系树脂而形成的层、金属层、以及电介质多层构造构成的组中选择的。

8.根据权利要求1~7中任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(d)后,还包括:

工序(q),在通过所述基板的去除而露出的所述半导体层上形成荧光体层。

9.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法,其中,

工序(q)通过在所述半导体层上粘接荧光体片或者电镀形成荧光体膜来实施。

10.根据权利要求8或9所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(d)之后且在工序(q)之前,还包括:

工序(r),在通过所述基板的去除而露出的所述半导体层的周围,去除较该半导体层而突出的所述各向异性导电材料的部分。

11.根据权利要求8所述的发光装置的制造方法,其中,

工序(q)能够通过以下方式来实施,在通过所述基板的去除而露出的所述半导体层的周围,将较该半导体层而突出的各向异性导电材料的部分作为壁部,向通过该壁部所包围的该半导体层上的凹陷处提供含荧光体树脂,并使其硬化。

12.根据权利要求1~11中任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(c)之前,还包括:

工序(s),在所述构造体的p侧电极以及n侧电极上或者所述支撑体的p侧布线以及n侧布线上形成凸起,

在工序(c)中,使用所述各向异性导电材料,经由所述凸起,将所述构造体的p侧电极以及n侧电极和所述支撑体的p侧布线以及n侧布线分别电连接。

13.根据权利要求12所述的发光装置的制造方法,其中,

在工序(a)中,p侧电极以及n侧电极由具有开口部的保护膜覆盖,

在工序(s)中,在p侧电极以及n侧电极上,按照位于该保护膜的开口部、并且凸起的顶部从保护膜突出的方式来形成凸起。

14.根据权利要求1~13中任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,

所述各向异性导电材料进一步包含填料,该填料是从由金属氧化物、金属氮化物、以及碳构成的组中选择的至少一种。

15.根据权利要求1~14中任意一项所述的发光装置的制造方法,其中,

所述导电性粒子包含由第二树脂构成的内核、和由覆盖该内核的金属构成的导电性层。

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