[发明专利]发光装置及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及发光装置的制造方法，更详细来说，涉及将发光元件倒装（flip chip）式安装在支撑体的发光装置的制造方法。此外，本发明涉及能够根据相关的制造方法进行制造的发光装置。

背景技术

发光装置一般将发光二极管等发光元件安装在支撑体进行制造。作为该安装方法之一，有倒装式安装（参照专利文献1和2）。倒装式安装存在能够将发光元件无线安装于支撑体、能够实现小面积化、向垂直方向提取光的光提取效率高这样的优点。

以往，已知以下发光装置，即，为了进一步提高光提取效率，在将发光元件倒装式安装于支撑体后去除基板的发光装置。更详细来说，该发光装置如以下这样地制造（参照专利文献1）。首先，在蓝宝石基板等生长用基板上使n型半导体层、活性层、以及p型半导体层生长，通过蚀刻部分地去除p型半导体层以及活性层而露出n型半导体层后，在由此得到的半导体层的与基板相反的同一面侧形成p侧电极以及n侧电极，在p侧电极以及n侧电极上形成Au凸起，制作发光元件的芯片。另一方面，准备在同一面上具有p侧布线以及n侧布线的支撑体。接着，将这些芯片以及支撑体相对配置（反转芯片的上下），通过超声波接合将形成在芯片的p侧电极以及n侧电极的Au凸起与支撑体的p侧布线以及n侧布线进行机械以及电连接。然后，在形成在芯片和支撑体之间的空间中注入电绝缘性的底层填料（underfill）树脂（硅系树脂）并使其硬化。之后，通过激光剥离从芯片上去除生长用基板。在由此露出的半导体层上适当贴附荧光体板等还获得。

在先专利文献

专利文献

专利文献1：JP特表2011-501428号公报

专利文献2：JP特开2011-57917号公报

发明内容

发明要解决的课题

在所述现有的发光装置的制造方法中，通过超声波接合对Au凸起和布线进行坚固接合，在形成在芯片和支撑体之间的空间中注入底层填料树脂并使其硬化后，从芯片中去除基板。由此得到的发光装置中，半导体层与Au凸起和底层填料树脂这2种不同的材料相接而配置在支撑体，因此如果受到温度变化，则由于通过超声波接合而坚固地与布线不仅电接合而且机械接合的Au凸起和底层填料树脂之间的热膨胀差，会产生热应力，该热应力由于基板的去除而直接施加在强度变低的半导体层上，有时半导体层会被破坏（破裂），在可靠性这点上存在问题。

为了消除相关问题，例如考虑在通过基板的去除而露出的半导体层的上面形成由金属等构成的疑似基板，增强半导体层。但是，在该情况下，在增加制造工序的基础上，会产生由于金属疑似基板而光提取效率受损这样新的问题。

本发明的目的在于，提供一种将发光元件倒装式安装于支撑体的发光装置的制造方法，是一种能够实现具有高的光提取效率和高的可靠性这两者的发光装置的方法。

用于解决课题的手段

根据本发明，是一种将发光元件倒装式安装于支撑体的发光装置的制造方法，包括：工序（a），准备构造体，该构造体具有：基板、形成在基板上的半导体层、形成在该半导体层上的p侧电极以及n侧电极；工序（b），准备在同一面上具有p侧布线以及n侧布线的支撑体；工序（c），使用包含导电性粒子以及第一树脂的各向异性导电材料将所述构造体的p侧电极以及n侧电极和所述支撑体的p侧布线以及n侧布线分别电连接；工序（d），在工序（c）之后，从所述构造体去除所述基板作为发光元件。

此外，根据本发明，还提供一种发光装置，其特征在于，具备：发光元件，该发光元件具有半导体层（一般为多个半导体层的层叠体）和形成在所述半导体层的同一面侧的p侧电极以及n侧电极，半导体层的表面成为发光元件的最上面；以及支撑体，其在同一面上具有p侧布线以及n侧布线；所述发光元件的p侧电极以及n侧电极和所述支撑体的p侧布线以及n侧布线至少通过各向异性导电材料分别电连接，该各向异性导电材料包含导电性粒子以及第一树脂。

发明的效果

根据本发明，在将发光元件倒装式安装于支撑体的发光装置的制造方法中，在使用各向异性导电材料进行了安装后，去除基板，所以能够实现具有高的光提取效率和高的可靠性双方的发光装置。

附图说明

图1是说明本发明的一个实施方式中的发光装置的制造方法的概略工序图。

图2是说明图1的实施方式中的发光装置的制造方法的概略工序图。

图3是说明图1的实施方式中的发光装置的制造方法的概略工序图。

图4是说明图1的实施方式中的发光装置的制造方法的概略工序图。