[发明专利]使用软编程的非易失性存储器(NVM)

权利要求书

1.一种半导体存储器器件，包括：

存储器控制器；

耦合以与所述存储器控制器通信的存储器单元的阵列；

其中所述存储器控制器被配置成

使用第一软程序电压和第一软程序验证水平执行第一软程序操作；

确定是否已经达到第一电荷捕获阈值；以及

当已经达到所述第一电荷捕获阈值的时候，使用第二软程序电压和第二软程序验证水平执行第二软程序操作；

其中所述第一软程序验证水平大于所述第二软程序验证水平。

2.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，其中所述第一软程序电压小于所述第二软程序电压。

3.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，其中当由最大程序脉冲计数、最大软程序脉冲计数、擦除脉冲计数、以及程序/擦除周期计数组成的组中的至少一个超过预定阈值的时候，达到所述第一电荷捕获阈值。

4.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，进一步包括：

存储区域，所述存储区域包括所述第一软程序电压和第二软程序电压、所述第一软程序验证水平和第二软程序验证水平、以及所述第一电荷捕获阈值。

5.根据权利要求1所述的半导体存储器器件，其中所述存储器控制器进一步被配置成：

确定是否已经达到第二电荷捕获阈值；以及

当已经达到所述第二电荷捕获阈值的时候，使用第三软程序电压和第三软程序验证水平执行第三软程序操作。

6.根据权利要求5所述的半导体存储器器件，其中所述第二软程序电压小于所述第三软程序电压，以及所述第二软程序验证水平大于所述第三软程序验证水平。

7.根据权利要求2所述的半导体存储器器件，其中所述第一软程序电压中的一个被应用于所述存储器单元中的每个的栅极，以及所述第一软程序电压中的另一个被应用于所述存储器单元的每个的漏极。

8.一种使用软编程的方法，包括：

在一组非易失性存储器单元上执行成功的擦除操作；

确定是否已经达到电荷捕获阈值；以及

如果已经达到所述电荷捕获阈值，则调整软程序电压、调整软程序验证水平、以及使用调整后的软程序电压和调整后的软程序验证水平在所述存储器单元上执行软程序操作；

其中所述软程序验证水平大于调整后的软程序验证水平。

9.根据权利要求8所述的方法，其中当由最大程序脉冲计数、最大软程序脉冲计数、擦除脉冲计数、以及程序/擦除周期计数组成的组中的至少一个超过预定阈值的时候，达到所述电荷捕获阈值。

10.根据权利要求8所述的方法，其中所述软程序电压和调整后的软程序电压被应用于所述存储器单元中的每个的栅极。

11.根据权利要求8所述的方法，其中所述软程序电压和调整后的软程序电压被应用于所述存储器单元中的每个的漏极。

12.根据权利要求8所述的方法，其中所述软程序电压小于调整后的软程序电压。

13.根据权利要求8所述的方法，其中所述软程序电压和调整后的软程序电压被应用于所述存储器单元中的每个的漏极，以及第二软程序电压和第二调整后的软程序电压被应用于所述存储器单元中的每个的栅极。